[求助] 为什么用vasp计算的Si晶体的介电常数差不多是实验值11.9的2倍？

PBE的值 24点多
GW的值 23点多
GW+BSE的值22点多
HSE06的值反倒较好11点多……

百思不得其解！

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1楼2014-06-27 21:51:39

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denbaiyang

金虫 (小有名气)

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请问您的参数是如何设置的呢？我用VASP wiki上面的例子给的参数，K点取gamma-centre 11x11x11，计算得到的OUTCAR里，有三个地方提到了DIELECTRIC，其中这一行：MACROSCOPIC STATIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in DFT) 下面的矩阵里给出的介电常数是12.9，比11.9大，请问这种差别是正常的吗？我的INCAR参数是这样的：
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.01
LWAVE = F
LCHARG = F
IBRION = 8
NSW = 1
EDIFF = 1E-8
ENCUT = 520
PREC = Accurate
ADDGRID = T
LEPSILON = T
NBANDS = 4
LPEAD = T

VASP版本是5.4
希望能得到前辈的指导，谢谢