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为什么用vasp计算的Si晶体的介电常数差不多是实验值11.9的2倍?
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PBE的值 24点多 GW的值 23点多 GW+BSE的值22点多 HSE06的值 反倒较好11点多…… 百思不得其解! |
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请问您的参数是如何设置的呢?我用VASP wiki上面的例子给的参数,K点取gamma-centre 11x11x11,计算得到的OUTCAR里,有三个地方提到了DIELECTRIC,其中这一行:MACROSCOPIC STATIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in DFT) 下面的矩阵里给出的介电常数是12.9,比11.9大,请问这种差别是正常的吗?我的INCAR参数是这样的: ISMEAR = 0 SIGMA = 0.01 LWAVE = F LCHARG = F IBRION = 8 NSW = 1 EDIFF = 1E-8 ENCUT = 520 PREC = Accurate ADDGRID = T LEPSILON = T NBANDS = 4 LPEAD = T VASP版本是5.4 希望能得到前辈的指导,谢谢 |
10楼2021-07-02 17:19:52










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