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二氧化硅RIE刻蚀 已有2人参与
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| 我们有一台中科院的ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机，现在刻蚀硅片已经对达到最优化，一分钟能达到600nm左右，但是对于石英只能几十纳米，所以跟大家交流一下刻蚀参数。我们目前使用的参数是：流量15，压强0.5Pa，功率100W，速率25nm/min |
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12楼2015-03-25 15:56:26
3楼2014-06-26 15:35:54
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
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- 专业: 半导体电子器件
4楼2014-06-26 15:56:26
5楼2014-07-08 16:33:06