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二氧化硅RIE刻蚀 已有2人参与
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| 我们有一台中科院的ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机,现在刻蚀硅片已经对达到最优化,一分钟能达到600nm左右,但是对于石英只能几十纳米,所以跟大家交流一下刻蚀参数。我们目前使用的参数是:流量15,压强0.5Pa,功率100W,速率25nm/min |
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12楼2015-03-25 15:56:26

3楼2014-06-26 15:35:54
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
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- 专业: 半导体电子器件
4楼2014-06-26 15:56:26

5楼2014-07-08 16:33:06













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