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龙骧将军

铁虫 (小有名气)

[求助] su8光刻 已有2人参与

我用的是su8 2075    为什么我所形成的圆柱体  上大下小   底部看上去挺圆的 但顶部有多余的部分怎么也显影不掉

参数:780rmp  40秒   4240rmp 90秒
前烘 65℃  3min  95℃ 9min
曝光 100秒
后烘  65℃  2min  94℃ 7min
膜厚大概40微米
掩膜版是直径为20微米的圆形阵列  基底是普通玻璃
我也试过曝光30秒,结果相似   但与基底的结合性更差

su8光刻
搜狗截图20140515191250.jpg
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whathurtsmorethepainofhardworkorthepainofregret
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
5楼: Originally posted by 龙骧将军 at 2014-05-16 16:00:25
但我圆柱体的顶部直径明显比掩膜版上的20微米来的大,而底部的与20微米挺相近的   圆形也挺好的...

曝光不足一般是会有T-top,但下面会小很多,比mask上面肯定要小,而且容易倒伏。
你这个T-top底部尺寸没有小,说明曝光剂量足够了。那么T-top的形成应该属于曝光过量,尤其是玻璃衬底的底部反射会很强烈。另外,可以看到光刻胶底部有黑色阴影,那个也属于没显影掉的部分,可能底部也曝光过量了。
SU8的曝光剂量并不高,至少我使用的是这样的。像我们的胶如果在40um的厚度的话,曝光剂量一般在150~200mJ/cm2之间。对于一般的进口光刻机,ghi三个谱线光强叠加一般是几十mW,曝光时间应该是在10秒以内。国产光刻机的话时间可能会翻番。
所以我建议在10s周围做一个分区域的曝光剂量实验。
6楼2014-05-17 15:46:21
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tsung

木虫 (小有名气)

我想问几个问题。探讨一下。呵呵
你需要的圆柱高度是多少?曝光的功率多少?mask和wafer的距离是多少?接触类型是什么?
ilovescience
2楼2014-05-15 20:57:33
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龙骧将军

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by tsung at 2014-05-15 20:57:33
我想问几个问题。探讨一下。呵呵
你需要的圆柱高度是多少?曝光的功率多少?mask和wafer的距离是多少?接触类型是什么?

圆柱高度大约40微米,我用的光刻机是MJB4的  至于曝光功率我不清楚  技术员也不知道  接触类型是软接触的
whathurtsmorethepainofhardworkorthepainofregret
3楼2014-05-16 10:04:26
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
比较典型的曝光不足,让底部过度显影导致的。
这是我用瑞士的SU8的经验,和你用的美国那家不一定相同,仅供参考。
4楼2014-05-16 14:41:36
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