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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » su8光刻
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龙骧将军

铁虫 (小有名气)

[求助] su8光刻 已有2人参与

我用的是su8 2075    为什么我所形成的圆柱体  上大下小   底部看上去挺圆的 但顶部有多余的部分怎么也显影不掉

参数：780rmp  40秒   4240rmp 90秒
前烘 65℃  3min  95℃ 9min
曝光 100秒
后烘  65℃  2min  94℃ 7min
膜厚大概40微米
掩膜版是直径为20微米的圆形阵列  基底是普通玻璃
我也试过曝光30秒，结果相似   但与基底的结合性更差

su8光刻
搜狗截图20140515191250.jpg
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@静静一yi

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whathurtsmorethepainofhardworkorthepainofregret
1楼 2014-05-15 19:20:15
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龙骧将军

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by tsung at 2014-05-15 20:57:33
我想问几个问题。探讨一下。呵呵
你需要的圆柱高度是多少？曝光的功率多少？mask和wafer的距离是多少？接触类型是什么？

圆柱高度大约40微米，我用的光刻机是MJB4的  至于曝光功率我不清楚  技术员也不知道  接触类型是软接触的
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whathurtsmorethepainofhardworkorthepainofregret
3楼2014-05-16 10:04:26
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tsung

木虫 (小有名气)
我想问几个问题。探讨一下。呵呵
你需要的圆柱高度是多少？曝光的功率多少？mask和wafer的距离是多少？接触类型是什么？
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ilovescience
2楼2014-05-15 20:57:33
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
比较典型的曝光不足，让底部过度显影导致的。
这是我用瑞士的SU8的经验，和你用的美国那家不一定相同，仅供参考。
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4楼2014-05-16 14:41:36
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龙骧将军

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2014-05-16 14:41:36
比较典型的曝光不足，让底部过度显影导致的。
这是我用瑞士的SU8的经验，和你用的美国那家不一定相同，仅供参考。

但我圆柱体的顶部直径明显比掩膜版上的20微米来的大，而底部的与20微米挺相近的   圆形也挺好的
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whathurtsmorethepainofhardworkorthepainofregret
5楼2014-05-16 16:00:25
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