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ITO薄膜禁带宽度计算 已有1人参与
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最近想根据透过率计算ITO薄膜禁带宽度。 作图(ahv)^2-hv, 其中吸收系数a=ln(1/T)*(1/d), hv=1242/λ。但是得出的禁带宽度大概在4.0eV左右,想请问究竟是什么问题。(附图如下) 另外想请教,关于透过率是否应该用扣除背底的透过率,即单纯ITO导电层的透过率。 捕获.JPG |
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3楼2014-05-03 10:50:50
cord
铁杆木虫 (著名写手)
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- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
chemlh: 欢迎积极交流 2014-05-03 07:11:23
sdlkwy2007: 金币+5, ★有帮助, 谢谢您的回复,另外我主要是想请人帮忙看看我所得的(ahv)^2-hv 2014-05-04 11:17:45
sdlkwy2007: 金币+1, ★有帮助, 谢谢您的回复,我主要是想请教一下,我所的的(ahv)^2-hv曲线是否合理,因为对直线部分外推与X轴交点大于3.9eV,这个禁带宽度有些过大了。麻烦您在这个方面给予指导,谢谢 2014-05-04 11:20:06
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sdlkwy2007: 金币+5, ★有帮助, 谢谢您的回复,另外我主要是想请人帮忙看看我所得的(ahv)^2-hv 2014-05-04 11:17:45
sdlkwy2007: 金币+1, ★有帮助, 谢谢您的回复,我主要是想请教一下,我所的的(ahv)^2-hv曲线是否合理,因为对直线部分外推与X轴交点大于3.9eV,这个禁带宽度有些过大了。麻烦您在这个方面给予指导,谢谢 2014-05-04 11:20:06
| 要测试ITO膜的透过率当然需要扣除背底的透过率。 |
2楼2014-05-02 23:38:01













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