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dyhua

金虫 (小有名气)

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[交流] 两篇文献引发的血案已有9人参与

同样是研究ORR（氧还原反应），一个是看我师兄的论文的，其中说到，“D峰主要有CNF表面的端面原子组成，G峰主要有CNF表面基面原子组成，D峰和G峰的面积比值Id/Ig衡量端面原子和基面原子的含量”，然后他将不同改性的CNF的D、G比值即ID/IG进行了比较，比值较大者说明改性了的CNF表面缺陷的数量增加了，因而ORR性能较好。
另一篇是来自ACSNANO的文献，主要研究石墨烯掺硫，然后研究了不同处理温度对掺硫效果的影响，下面是原文中的一段：“As is known, the IG/ID value of a carbon material is an important parameter for evaluating the degree of graphitization. From Supporting Information,Figure S2, it can be seen that the IG/ID values of these S-graphenes（掺硫的石墨烯） increase with increasing annealing temperature（一共考察了3种温度，600，900,1050）. The improved graphitic degree of the S-graphene samples might be caused by reduction effects and “self-repairing” of the graphene layer at high temperatures, and was believed to be one of the factors contributing to the significantly enhanced catalytic activity.”我的理解是：意思是说高温（annealing temperature）可以导致IG/ID 比值增大，从而带来了更好的催化性能。
下面就是疑问：到底ID/IG比值大好还是比值小好？
PS：我是做电化学的，而且算是刚研究时间不长吧，所以还有很多不懂的地方，尤其对碳材料这块还是很不熟悉，测试表征也只是知道点皮毛，对于实质还是不了解，所以如果闹笑话了还请不要笑话我，给我点出来哪里，我会继续学习的！

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好好科研，多学知识，早日毕业！

1楼 2014-04-16 16:25:04

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张俊杰12

木虫 (正式写手)

应助大神

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★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

我也是做碳材料ORR催化剂的，我最近也很是困惑，到底是缺陷位重要，还是石墨化更重要的。我感觉需要一个平衡点，因为他们的作用是不同的，对于石墨化越高，证明层状结构越明显，所以电子传导率就高，也就是内阻小。而缺陷位是对于氧气或者中间体的吸附能力很强，也是反应的起点，吸附弱的话，也很难发生反应，或者说是有效碰撞。

1：我有个困惑，为什么缺陷位的吸附能力强呢？我在未考虑PH值和双电层效应的情况下，计算得出的结果。可以利用布局分析或者电荷极化来解释吗？正电荷的吸引，从而吸引力变强吗？
2：对于第二篇文献，对于S掺杂，我认为应该在边界位掺杂（原子半径原因），其实也是制造缺陷。由于S和C的电负性相近，有文献解释是自旋极化的原因？我就困惑，自旋极化怎么影响的？对于氮原子S的alpha电子的影响吗？