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dyhua

金虫 (小有名气)

[交流] 两篇文献引发的血案已有9人参与

同样是研究ORR(氧还原反应),一个是看我师兄的论文的,其中说到,“D峰主要有CNF表面的端面原子组成,G峰主要有CNF表面基面原子组成,D峰和G峰的面积比值Id/Ig衡量端面原子和基面原子的含量”,然后他将不同改性的CNF的D、G比值即ID/IG进行了比较,比值较大者说明改性了的CNF表面缺陷的数量增加了,因而ORR性能较好。
另一篇是来自ACSNANO的文献,主要研究石墨烯掺硫,然后研究了不同处理温度对掺硫效果的影响,下面是原文中的一段:“As is known, the IG/ID value of a carbon material is an important parameter for evaluating the degree of graphitization. From Supporting Information,Figure S2, it can be seen that the IG/ID values of these S-graphenes(掺硫的石墨烯) increase with increasing annealing temperature(一共考察了3种温度,600,900,1050). The improved graphitic degree of the S-graphene samples might be caused by reduction effects and “self-repairing” of the graphene layer at high temperatures, and was believed to be one of the factors contributing to the significantly enhanced catalytic activity.”我的理解是:意思是说高温(annealing temperature)可以导致IG/ID 比值增大,从而带来了更好的催化性能。
下面就是疑问:到底ID/IG比值大好还是比值小好?
PS:我是做电化学的,而且算是刚研究时间不长吧,所以还有很多不懂的地方,尤其对碳材料这块还是很不熟悉,测试表征也只是知道点皮毛,对于实质还是不了解,所以如果闹笑话了还请不要笑话我,给我点出来哪里,我会继续学习的!

两篇文献引发的血案
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好好科研,多学知识,早日毕业!
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绍敏郡主

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
第一个论文认为导致D峰增强的缺陷位是活性位点。
另一个文献不认为高温下被修复的缺陷曾经是活性位点。
3楼2014-04-16 18:21:20
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changle9139

荣誉版主 (文坛精英)

优秀区长优秀区长优秀区长优秀版主优秀版主优秀版主


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
标题党啊,支持一下,不过抱歉不太懂,别人教过我一次时间长忘记了
没个性不敢签名!
2楼2014-04-16 16:34:37
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mark62534

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
虽然我不是做电化学的,但是出于对科研工作者的精神支持,回复一个以资鼓励
上一段比上班更累的学。。。
4楼2014-04-17 08:47:12
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dyhua

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 绍敏郡主 at 2014-04-16 18:21:20
第一个论文认为导致D峰增强的缺陷位是活性位点。
另一个文献不认为高温下被修复的缺陷曾经是活性位点。

那不还是矛盾嘛
好好科研,多学知识,早日毕业!
5楼2014-04-17 10:43:05
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