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wu3tian

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[求助] 求XPS高手指教：CeO2立方体和八面体O1s谱图，咋晶格氧的峰这么小已有1人参与

二氧化铈CeO2立方体和八面体负载1%的Pt,400摄氏度烧过，然后又在400℃通流动air或H2来氧化还原

H指还原过的，O指氧化过的，无论氧化还是还原均在反应气氛中降至室温，暴露在空去中，拿去测XPS。
为啥氧化过的样品晶格氧峰咋这么小啊，感觉跟文献对不上？XPS不是表征表面以下几个nm吗，晶格氧怎么着都该占主要啊？
我是想说octahedra的氧结合能大，更接近氧化硅氧化铝等惰性载体，能这么说不？
各位前辈有没有看到解释这种情况的文献啊？

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1楼 2014-03-26 16:18:01

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wu3tian

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引用回帖:

5楼: Originally posted by zatnlsc at 2014-03-27 10:21:08
表面有charging，或者有一层很厚的其他污染物，不知全谱是否扫过， C1s 强吗？峰位校正了吗？
PS: CeO2的氧空位密度(111)<(100)<(110)，间接说明你的想法方向是对的。但你需要证据。

您好，谢谢回复，每个样品均有明显的C1s峰，比铈的峰还强，都校正过，好像就是用C1s校正的。浸渍Pt时会引入C
那为啥立方体还原处理能显示出较强的体相氧，
按理说样品都400℃或600℃流动空气中烧过啊，为啥还有C，或者是空气中的CO2？
这是不是就是说O1s谱被C影响较严重，不能用了啊？