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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » d-spacing values　　　求助这是什么意思？
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red_snow

铜虫 (初入文坛)

[求助] d-spacing values　　　求助这是什么意思？ 已有2人参与

All films possess compressive strain　because d-spacing values of BBFO (4.150–4.046A ° ) are　larger than that of SNTO substrate (3.923A ° ).
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晶体知识

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1楼 2014-03-10 18:28:54
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huanghuasjtu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
d-spacing values of BBFO (4.150–4.046A ° ) are　larger than that of SNTO substrate (3.923A ° ).这个指的是原子面间距。
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做科研可以讲究，也可以将就
2楼2014-03-10 18:41:44
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gyliu

铁杆木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
d-spacing values就是晶面间距的意思
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3楼2014-03-11 07:49:21
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red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by gyliu at 2014-03-11 07:49:21
d-spacing values就是晶面间距的意思

麻烦再请教下
The current　level measured at －2V was considered for READing the information　while the applied bias voltage of 5V and －5V　were used to obtain high resistance/OFF state (HRS) and low　resistance/ON state (LRS) (WRITE operation), respectively.
这个偏置电压５ｖ的高阻态和－５Ｖ时的低阻态跟－２Ｖ有什么关系？
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4楼2014-03-11 17:05:44
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red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by huanghuasjtu at 2014-03-10 18:41:44
d-spacing values of BBFO (4.150–4.046A ° ) are　larger than that of SNTO substrate (3.923A ° ).这个指的是原子面间距。

The current　level measured at －2V was considered for READing the information　while the applied bias voltage of 5V and －5V　were used to obtain high resistance/OFF state (HRS) and low　resistance/ON state (LRS) (WRITE operation), respectively.
这个偏置电压５ｖ的高阻态和－５Ｖ时的低阻态跟－２Ｖ有什么关系？
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5楼2014-03-13 13:19:19
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huanghuasjtu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

晶体学知识一点都没么？BBFO原子面间距(4.150–4.046A °），而SNTO基体原子面间距(3.923A ° )，要实现原子面共格匹配，BBFO原子面间距就要变成(3.923A ° )左右，这就使得BBFO原子面中出现了压应变。就这意思。非要说这么清楚，LZ才明白吗
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做科研可以讲究，也可以将就
6楼2014-03-13 13:35:22
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red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by huanghuasjtu at 2014-03-13 13:35:22
晶体学知识一点都没么？BBFO原子面间距(4.150–4.046A °），而SNTO基体原子面间距(3.923A ° )，要实现原子面共格匹配，BBFO原子面间距就要变成(3.923A ° )左右，这就使得BBFO原子面中出现了压应变。就这意思。非 ...

额，实在不好意思，那个问题我已经搞懂了，我问了另外一个问题，麻烦看下４楼，谢谢了！
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7楼2014-03-14 14:17:06
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