应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » d-spacing values　　　求助这是什么意思？
51/1返回列表
查看: 1337  |  回复: 6
查看全部回帖@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

red_snow

铜虫 (初入文坛)

[求助] d-spacing values　　　求助这是什么意思？已有2人参与

All films possess compressive strain　because d-spacing values of BBFO (4.150–4.046A ° ) are　larger than that of SNTO substrate (3.923A ° ).
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

晶体知识

» 猜你喜欢
1楼2014-03-10 18:28:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by gyliu at 2014-03-11 07:49:21
d-spacing values就是晶面间距的意思

麻烦再请教下
The current　level measured at －2V was considered for READing the information　while the applied bias voltage of 5V and －5V　were used to obtain high resistance/OFF state (HRS) and low　resistance/ON state (LRS) (WRITE operation), respectively.
这个偏置电压５ｖ的高阻态和－５Ｖ时的低阻态跟－２Ｖ有什么关系？
赞一下 回复此楼
4楼2014-03-11 17:05:44
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by huanghuasjtu at 2014-03-10 18:41:44
d-spacing values of BBFO (4.150–4.046A ° ) are　larger than that of SNTO substrate (3.923A ° ).这个指的是原子面间距。

The current　level measured at －2V was considered for READing the information　while the applied bias voltage of 5V and －5V　were used to obtain high resistance/OFF state (HRS) and low　resistance/ON state (LRS) (WRITE operation), respectively.
这个偏置电压５ｖ的高阻态和－５Ｖ时的低阻态跟－２Ｖ有什么关系？
赞一下 回复此楼
5楼2014-03-13 13:19:19
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

red_snow

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by huanghuasjtu at 2014-03-13 13:35:22
晶体学知识一点都没么？BBFO原子面间距(4.150–4.046A °），而SNTO基体原子面间距(3.923A ° )，要实现原子面共格匹配，BBFO原子面间距就要变成(3.923A ° )左右，这就使得BBFO原子面中出现了压应变。就这意思。非 ...

额，实在不好意思，那个问题我已经搞懂了，我问了另外一个问题，麻烦看下４楼，谢谢了！
赞一下 回复此楼
7楼2014-03-14 14:17:06
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 red_snow 的主题更新
51/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭