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欧姆接触 与 肖特基势垒的差别已有1人参与
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| 欧姆接触跟肖特基势垒的差别是什么？？ 求大神帮助！！ |
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s_suny
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参考刘恩科的《半导体物理》： ”金属与N型半导体接触时，若金属功函数大于半导体功函数，则在半导体中电子向金属转移，在半导体体表面形成一个正的空间电荷区，其中电场方向由体内指向表面，形成阻挡层；若金属功函数小于半导体功函数，则电子从金属流向半导体，形成反阻挡层，它对半导体和金属的接触电阻影响很小，实验中察觉不到。“ 如何确定金属和半导体功函数的高低，回答这个问题之前，我先引用书中的一些描述：大量的测量结果表明，不同的金属，虽然功函数相关很大，而对比起来，它们与半导体接触里弄砀势垒高度相关却很小。金属功函数对势垒高度没有多大影响。进一步研究提示出，这是由于半导体表面存在表面态的缘故。 如果你想采用实验的手段来确定金属与半导体功函数的高低，以下是我的想法，不一定对，你可以了解一下。 原理上你可以测量半导体的电子亲和能，再根据半导体的掺杂来计算导带底能级与费米能级之间的关系来确定费米能级，根据二者可以得到半导体功函数。但实际上半导体的表面态会影响测量结果。 |
9楼2015-08-14 17:03:36
2楼2014-02-28 21:40:29
deepspace
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3楼2014-03-01 11:37:00
s_suny
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既然你已经搜索答案了，我就不太确定你到底想知道什么样的差别。我大致说一下，如果有疑问欢迎继续追问。 欧姆接触和肖特基势垒的差别主要体现在电流电压特性上，也就是所谓的整流特性。欧姆接触不具有整流特性，正向电压无论加在电极的哪一端，电流都和电压成正比，类似于一个小电阻的作用。 而肖特基接触和pn结二极管类似，存在一个势垒，在接触面附近有耗尽层（空间电荷区）存在，这个是由于和金属接触的半导体材料的功函数与金属功函数不同导致的。在这里要说明一下，欧姆接触也是金属与半导体的接触，但是由于与金属接触的半导体材料的掺杂浓度或其他方面的因素导致功函数和金属接近，二者不存在（或存在极小的）势垒。因此，对于肖特基接触而言，电压的正极加在金属上会产生一个电流随电压的指数变化曲线；电压的正极加在半导体一侧，会相当于一个无限大的电阻（模拟电路中经常这样近似）。这就是所谓的整流特性。 |
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4楼2014-03-02 10:28:10