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求助掺杂后电离能的计算
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李佳佳佳
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求助掺杂后电离能的计算
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请问在半导体的计算中,掺杂后易形成N型和P型半导体,我们可以称施主和受主杂质,请问如何计算这种掺杂后的电离能,电离能 是大好还行小好,可以反应出什么物理意义呢?
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1楼
2014-02-17 13:55:10
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zsl_321123
at 2014-02-17 21:31:56
首先要搞清楚电离能的含义,另一方面你要知道你做的这种材料应用的哪个方面,做场发射阴极材料,电离能小的话,一般功函数也就小,这样有利于电子的发射,有利。但是如果应用场合不一样有可能大了也有其优点。
请问那电离能是怎么计算的呢?我看到有的N型半导体材料中,观察的是费米能及与导带底之间的距离,来确定能级是否深。
在半导体的领域中,浅能级的N型材料一直是人们所追求的材料。这个是否就涉及到电离能,还是我说的那个判断费米能及和导带底的距离?
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3楼
2014-02-24 21:04:14
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zsl_321123
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【答案】应助回帖
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李佳佳佳: 金币+5
2014-02-24 21:02:29
首先要搞清楚电离能的含义,另一方面你要知道你做的这种材料应用的哪个方面,做场发射阴极材料,电离能小的话,一般功函数也就小,这样有利于电子的发射,有利。但是如果应用场合不一样有可能大了也有其优点。
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宁愿骑着自行车笑,不愿坐着宝马哭。。。。。
2楼
2014-02-17 21:31:56
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李佳佳佳: 金币+10
2014-02-26 19:50:12
你说的是杂质能级,不是材料本身的电离能,直观上N型杂质能级离导带底近就容易电离,容易产生N型半导体行为,p型反过来。
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4楼
2014-02-25 10:21:43
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4楼
:
Originally posted by
鹰羽龙
at 2014-02-25 10:21:43
你说的是杂质能级,不是材料本身的电离能,直观上N型杂质能级离导带底近就容易电离,容易产生N型半导体行为,p型反过来。
请问你说的这个 是否容易形成N型电导,是否是导带底或者价带顶和费米能及的距离?
可否通过这个值得大小判断是N或P型是否易形成的依据?
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5楼
2014-02-26 19:48:30
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