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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】硅中的深能级杂质怎么进行测量
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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dongmaojin

木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】硅中的深能级杂质怎么进行测量

硅中掺入的金或是镍、铂等深能级杂质怎么测试其能级所在位置，和浓度，文献报道说可以采用DLTS,不过这种方法是否简单易行,对硅片的电阻率有无要求?

[ Last edited by zt970831 on 2008-1-26 at 18:21 ]
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1楼 2008-01-16 18:27:05
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信，诚信，求实，方法。
DDLTS (double correlation deep level transient spectroscopy, H.Lefevre and M. Schulz, Appl. Phys. 12, 45 (1977)) is a variation of DLTS to get field dependent emission data and/or depth profiles of a deep level.
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不以求备取人，不以己长格物。
2楼2008-01-26 11:19:26
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信，诚信，求实，方法。
★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):谢谢您的热心应助，欢迎常来物理版：）
Deep level transient spectroscopy (DLTS, D.V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)) is a very sensitive method to study deep levels in semiconductors. The method is based on the capacitance change of a reverse biased diode when deep levels emit their carriers after they were charged by a forward bias pulse. The emission rate is temperature dependent and characteristic for each type of defect. From the temperature dependence of the emission rate the activation energy of a deep level can be deduced.
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不以求备取人，不以己长格物。
3楼2008-01-26 11:19:48
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信，诚信，求实，方法。
There are many more varieties which are widely used, like e.g. deep level optical spectroscopy (DLOS, A. Chantre et al., Phys. Rev. B 23, 5335 (1981)), or relatively unknown, like e.g. Acousto-Electric Deep Level Transient Spectroscopy (AE-DLTS) or Q-DLTS
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不以求备取人，不以己长格物。
4楼2008-01-26 11:20:20
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信，诚信，求实，方法。
A good book on DLTS and related techniques is "The Electrical Characterisation of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States" by P. Blood and J.W. Orton, Academic Press London (1992) (ISBN 0-12-528627-9)
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不以求备取人，不以己长格物。
5楼2008-01-26 11:20:27
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dongmaojin

木虫 (小有名气)

谢谢wolfliu的解答

我的实验是对硅片扩散过渡族元素，做成热敏材料，用于制备热敏电阻。现在考虑多重掺杂，比如掺金、镍两种元素，我想知道掺入两种元素或多种元素后这些杂质在硅片中能级分布情况，应该采用什么方法测试呢？
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6楼2008-02-28 17:45:28
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信，诚信，求实，方法。
★ ★
zt970831(金币+2,VIP+0):谢谢您的答复；欢迎常来物理版：）
在我的印象中，没有直接测量能级分布的方法。通常是采用间接法，即先测量相关参数，然后带入计算公式计算得到需要的值。你可以参考《半导体物理学》（刘恩科）。
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不以求备取人，不以己长格物。
7楼2008-02-29 11:30:58
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FePt

木虫 (正式写手)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复；欢迎常来物理版：）
中科院半导体所可以测DLTS
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8楼2008-02-29 12:43:43
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