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dongmaojin木虫 (小有名气)
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【求助】硅中的深能级杂质怎么进行测量
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硅中掺入的金或是镍、铂等深能级杂质怎么测试其能级所在位置，和浓度，文献报道说可以采用DLTS,不过这种方法是否简单易行,对硅片的电阻率有无要求? [ Last edited by zt970831 on 2008-1-26 at 18:21 ] |
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5楼2008-01-26 11:20:27
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2楼2008-01-26 11:19:26
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zt970831(金币+3,VIP+0):谢谢您的热心应助，欢迎常来物理版：）
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| Deep level transient spectroscopy (DLTS, D.V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)) is a very sensitive method to study deep levels in semiconductors. The method is based on the capacitance change of a reverse biased diode when deep levels emit their carriers after they were charged by a forward bias pulse. The emission rate is temperature dependent and characteristic for each type of defect. From the temperature dependence of the emission rate the activation energy of a deep level can be deduced. |
3楼2008-01-26 11:19:48
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4楼2008-01-26 11:20:20
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