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铁虫 (初入文坛)

[求助] 二维电子气的形成条件已有1人参与

各位大侠，GaAs/AlxGa1-xAs异质结结面处可以形成二维电子气，从能带的角度来看结面处有一个势阱，电子即“堆积”于此处，那我我想请问这个势阱具体有多宽（即二维电子气的“厚度”）如何界定？是费米能级与势阱形成的三角形区域吗？如果费米能级低于势阱（如图所示），还能形成二维电子气吗？

[ Last edited by jushangzhi on 2014-1-15 at 08:41 ]

1楼 2014-01-14 23:17:41

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木虫 (正式写手)

感谢参与，应助指数 +1
穿越千年: 感谢积极应助，我也来学习了 2014-01-15 10:58:17

理论上可以这么认为，毕竟三角区内才有堆积电子。
费米能级代表了电子的占据几率，0K时费米能级以上是无电子的，所以没有2DEG，室温下需考虑热（几个kT差别）

2楼2014-01-15 08:51:39

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铁虫 (初入文坛)

引用回帖:

2楼: Originally posted by zhuzhen at 2014-01-15 08:51:39
理论上可以这么认为，毕竟三角区内才有堆积电子。
费米能级代表了电子的占据几率，0K时费米能级以上是无电子的，所以没有2DEG，室温下需考虑热（几个kT差别）

感谢！

3楼2014-01-15 09:18:51

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