| 查看: 4332 | 回复: 28 | ||||
[交流]
为什么在低温、强磁场下,半导体中的电子只能沿着边缘运动?
|
||||
|
At low temperature and high magnetic field, electrons travel only along the edge of the semiconductor。今天看文献《The quantum spin Hall effect and topological insulators》是看到的,请问这是为什么呢? 这是不是就是edge state的出处啊 |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
拓扑材料 |
» 猜你喜欢
308求调剂
已经有4人回复
NSFC申报书里申请人简历中代表性论著还需要在申报书最后的附件里面再上传一遍吗
已经有14人回复
材料与化工一志愿南昌大学327求调剂推荐
已经有6人回复
化学调剂0703
已经有7人回复
327求调剂
已经有11人回复
调剂
已经有8人回复
梁成伟老师课题组欢迎你的加入
已经有7人回复
伙伴们,祝我生日快乐吧
已经有24人回复
中科院材料273求调剂
已经有3人回复
材料工程专硕274一志愿211求调剂
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
场发射性质可以用在哪些方面呢?
已经有4人回复
【分享】“神奇材料”石墨烯
已经有57人回复
» 抢金币啦!回帖就可以得到:
物理学 调剂
+1/84
材料/化学相关专业2026级学术/专业型硕士研究生
+1/82
福建师范大学招收2026年化学、材料硕士3-4名
+1/82
招收调剂生,动物医学、水产养殖、水产动物医学等专业
+1/81
山东师范大学有机化学专业胡忠燕老师课题组招收2026届硕士研究生以及调剂生
+1/46
中科院生态环境研究中心国重实验室招聘客座研究生1-2名
+1/33
中科院化学所 宋延林 课题组招聘合成化学方向博士后(开展打印合成化学方向研究)
+1/32
西安建筑科技大学,樊重庆课题组招收调剂研究生1名。
+2/28
澳大利亚西澳大学(UWA)张金强课题组招收全奖博士生(化工新能源方向)
+1/27
诚聘助理研究员 - 物理/材料/机械相关专业博士
+2/22
福建师范大学化学与材料学院杜克钊团队博士/硕士招生
+1/15
【实战型】【生物医药】2026青岛大学招博士生 含少数民族骨干计划2名!!!
+1/14
2026年西南科技大学功能涂层课题组简介
+1/14
青岛科技大学0860 一志愿./调剂 招生
+1/9
青岛科技大学高分子学院---生物大分子医学(BM3)团队---招收硕士生和博士生
+1/7
哈尔滨理工大学材料与化学工程学院 纳米功能材料与光电催化团队 招收硕士研究生
+1/7
福建农林大学绿色光电器件与储能电池团队招收2026年研究生(含调剂)
+1/5
【第三轮招生】澳科大诚招2026年秋季硕士研究生(3月31日下午18:00截止)
+1/4
杭州北航国新院徐梁教授招聘博士(控制/机器视觉/机器人导航操作方向)
+1/2
澳大利亚科学院院士Prof.Gordon Wallace, University of Wollongong 全奖博士机会
+1/1
|
??????? ?????????????????? ??????Щ????????????????? ????漰????Ч??? ?????????????? ????????????? ??????????????????????????????????????? ?????????????????????????????????? ?????????????????δ???? ????Ч????????????????????? ?б???????????????????????????????????????? ??????????γ?????????? ?????????????????????? ????????????????Ч??????? ?????????? ?????????????????Ч????? ??????????????? ??????????????????ЩЧ??????? ??? ??????????????????Ч????????? ?????? ???????????? ???????Ч????????????????? ??????о???????????????????Ч??????? ????????????????????????????????? ??????????????Pb??????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????п????????????????? ???????????????????????Pb???????? ????????????????????Ч??????????? ????????鷳?? ???????????? ???????????? ???????????? ???????????? ??????ò??????? ?????????????? ???棨???棩???????????????? ??? ??? ???????????????????? ??? ?????????????????????????????????? ????????????????? ??????????????? ????????? ??????? ????Ч??????????????????Ч? ????????????????????????????? ??????????????????????????Ч????????????????????? ?????????????? ???????? ???????????Ч? ???????????????Ч??????????Ч?????????????????·??????????仯????? ?????? ??????????????????????? ??????????????????????????????????? ???????????????????? [ Last edited by ????730 on 2013-4-17 at 23:22 ] |
» 本帖已获得的红花(最新10朵)
9楼2013-04-17 17:05:43
★
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
|
这个地方有个明显的错误,低温一般增加电子的自由程,而不是减小~ 看见了略为回答一二: 1. “这样,在bulk中,电流就抵消了,而边缘处就会出现剩余电流”,你描述的是经典的霍尔效应,不是量子的。这种经典的解释也许可以帮助你有个图像,但个人认为,终究不适合用来理解量子霍尔效应。量子霍尔效应只能在量子力学的框架下解释。 2. 一般有限的体系都可能有edge state,只不过一般体系的edge state对体系的性质影响不大,所以不大讨论这个态。但是topological insulator (including QHE to my understanding)中edge state很特别。体态是绝缘的,边缘态是导电的。可以携带edge current, either spin or charge current. 3. QHE的出现仅当电子在磁场中的cyclotron radius 远小于电子的自由程的情况下才出现。粗略的说electron must have already executed many cyclotron periods before it is scattered by other electrons/phonons/defects. 这样才能保证磁场中的量子效应不被抹掉。So you need a high magnetic field, which means much smaller cyclotron radius/magnetic length. Also you need a low temperature to decrease the effect of scattering, which will increase the mean free path. 4. 由于体态是绝缘态,bulk中不存在电流,也就谈不上电流的抵消。 |
17楼2013-04-18 10:03:30
8楼2013-04-17 15:52:12
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
22楼2013-08-02 18:03:30
24楼2013-08-06 18:20:07
26楼2013-08-07 18:06:05
2楼2013-04-17 00:03:59
3楼2013-04-17 02:44:53
4楼2013-04-17 14:18:39
5楼2013-04-17 14:30:09
6楼2013-04-17 14:50:09
7楼2013-04-17 15:01:25
10楼2013-04-17 20:46:51
11楼2013-04-17 20:53:29
★
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
hello_Jzz(金币+1): 谢谢参与
|
At low temperature and high magnetic field, electrons travel only along the edge of the semiconductor。 这个普通物理也许可以解释。 1 强场时,半导体内部的电子受到的洛伦兹力太大,而内部也没有其它的力能够抵消掉这个强力,因此电子只能跑到半导体表面。即只有表面的电子导电,表面会提供力抵消掉强洛伦兹力。 2 低温时,半导体内部的电阻很小,那就意味着会产生极强的电流,但是这个也是不现实的,正如理想导体的内部不存在电荷一样。至于表面可以导电,这个与表面的性质有关。 |
12楼2013-04-17 21:22:22
13楼2013-04-17 22:33:55
14楼2013-04-17 22:36:52
15楼2013-04-17 22:48:22
16楼2013-04-17 23:25:43
18楼2013-04-18 11:01:32
19楼2013-04-18 16:28:08
20楼2013-04-18 16:33:42
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
|
这里面需要有对数学上的拓扑概念和物理上的拓扑概念的理解,我觉得Qi Xiao Liang和S.C.Zhang的综述—Topological insulator and superconductors 讲的很详细。看看里面的introduction就可以了。 http://rmp.aps.org/abstract/RMP/v83/i4/p1057_1 |
21楼2013-04-18 17:51:18
23楼2013-08-06 18:19:51
25楼2013-08-07 10:25:38
27楼2014-02-15 10:20:49
28楼2014-02-15 10:20:57
29楼2014-02-15 10:23:01













回复此楼
hello_Jzz
