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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 磁控溅射中加氢会产生H+离子还是H-离子?

在磁控溅射制备很多薄膜时,都会加入一些氢气。氢气在辉光放电中会产生H+离子还是H-离子呢?

H的电离能为13.6eV,电子亲和能为-1.1eV,按说应该主要生成H-离子。但查了一些文献后似乎没得到什么明确的答案。有研究过这个问题的兄弟没?发表下看法吧。
[search]磁控溅射 氢[/search]
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wesley

基片上加偏压吗,还是用的射频电源,

基片加射频电源会产生一个负的自偏压

如果加直流负偏压,可能可以增加H含量,

H+受到负偏压吸引

如果加直流正偏压,情况很难说,主要是我没有用过:)

按照我的理解,你的文献中提到的是在高离化率和低电子能量情况下才出现H—离子,这种情况在磁控溅射中很难出现,磁控溅射的等离子体属于冷等离子体,离化率也不会高。

[ Last edited by wesley on 2008-1-11 at 17:16 ]
11楼2008-01-11 17:12:20
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渔翁860

金虫 (正式写手)

我用的是氩气,不知道加氢是怎样。等我找到了再来
2楼2008-01-10 20:39:42
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miloyy

木虫 (正式写手)

没想过这个问题,按理都是H+把,这个电子亲和能是什么意思,为负值?
3楼2008-01-10 23:45:43
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anselnew

木虫 (正式写手)

我用的是氩气,不知道加氢是怎样。估计以后用H2的可能性极小
铁电材料QQ群:16441273 欢迎做铁电材料的虫子加入
4楼2008-01-11 01:51:36
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