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虎将陕西

新虫 (初入文坛)

[求助] SiC材料ICP刻蚀 怎么提高表面粗糙度!!!

用ICP刻蚀SiC片,使用SF6气体 氧气 用什么参数合适。
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yymmwl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

提高刻蚀表面粗糙度,就是增强物理机制,所以加大icp源功率或者增加偏压,从而增加等离子密度,可以实现你的要求

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
你若潇洒,谁能缚你?
3楼2013-12-10 14:05:09
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yehanwin

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
别人都要求刻蚀后表面粗糙度低,为啥要提高粗糙度啊?个人认为这个太容易了,只要提高压强很容易做到。具体的没试验参数。
升级为木虫,纪念下!
2楼2013-11-26 23:23:17
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虎将陕西

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yehanwin at 2013-11-26 23:23:17
别人都要求刻蚀后表面粗糙度低,为啥要提高粗糙度啊?个人认为这个太容易了,只要提高压强很容易做到。具体的没试验参数。

着急发错了 确实要降低粗糙度 会不会功率小点 刻蚀速率慢点粗糙度会好些

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2013-12-16 16:50:13
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