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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » SiC材料ICP刻蚀 怎么提高表面粗糙度！！！
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虎将陕西

新虫 (初入文坛)

[求助] SiC材料ICP刻蚀 怎么提高表面粗糙度！！！

用ICP刻蚀SiC片，使用SF6气体 氧气 用什么参数合适。
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1楼 2013-11-26 20:48:03
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yehanwin

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
别人都要求刻蚀后表面粗糙度低，为啥要提高粗糙度啊？个人认为这个太容易了，只要提高压强很容易做到。具体的没试验参数。
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升级为木虫，纪念下！
2楼2013-11-26 23:23:17
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yymmwl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

提高刻蚀表面粗糙度，就是增强物理机制，所以加大icp源功率或者增加偏压，从而增加等离子密度，可以实现你的要求

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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你若潇洒，谁能缚你？
3楼2013-12-10 14:05:09
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虎将陕西

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yehanwin at 2013-11-26 23:23:17
别人都要求刻蚀后表面粗糙度低，为啥要提高粗糙度啊？个人认为这个太容易了，只要提高压强很容易做到。具体的没试验参数。

着急发错了 确实要降低粗糙度 会不会功率小点 刻蚀速率慢点粗糙度会好些

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2013-12-16 16:50:13
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