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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2025级博士研究生招生报考通知
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arlene135

新虫 (初入文坛)

我有过这样类似的情况,貌似是在打的时候,设置曝光量设成了line 而不是area,会导致图形周围被曝光包围
11楼2013-11-24 11:11:59
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maximus1214

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
10楼: Originally posted by supernatural at 2013-11-24 09:24:47
已经帮你代发金币,5楼的应助者既是3楼应助者,给3楼是一样的...

谢谢斑竹!
12楼2013-11-24 21:07:50
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Giantslug

金虫 (小有名气)

纳米工匠

那是你过曝光的结果。由于临近效应中的背散射,使得应该曝光的图形之外较大的区域也有来自衬底的背散射,在过曝光的条件下,这些剂量足以使得光刻胶受到部分曝光和显影。但是,这样的现象在快速的化学放大胶上很常见,在迟钝的PMMA上较少见。
展示所有自己研发的纳米制备工艺成果给大家,是本木虫的宗旨。
13楼2014-01-16 22:13:31
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fyl1989

金虫 (正式写手)

其实就是停留太久了,如果你停留再久点,当你移走SEM视场时,会发现原来视场左上角的位置已经被beam烧出一个点了,最好的方法就是做很多组重复图形,调好参数,显影后观察只用观察其中的一两组就够,如果所观察的都没问题,基本能够确定其他的图形也没什么大问题(就算有也是个别问题)。
还有,这个不是针对你显影不显影的问题,你显影完后PMMA在没被曝光的地方照样是大分子相互连接,当你观察图形时,beam照到这些地方,大分子还是断裂变成小分子,和你第一次曝光的过程是一样的。并且,我们有时为了看套刻是否准确,会在一层胶上连做两次曝光,两次显影,效果也不错,就是这个意思。希望对楼主有所帮助!
14楼2014-01-17 13:52:39
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金鉴检测小张

新虫 (初入文坛)

本帖内容被屏蔽

15楼2014-02-15 20:10:37
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franckchen

银虫 (小有名气)


引用回帖:
14楼: Originally posted by fyl1989 at 2014-01-17 13:52:39
其实就是停留太久了,如果你停留再久点,当你移走SEM视场时,会发现原来视场左上角的位置已经被beam烧出一个点了,最好的方法就是做很多组重复图形,调好参数,显影后观察只用观察其中的一两组就够,如果所观察的都 ...

可否留个联系方式,以后有问题多多交流。我做ebl才半年。求邮箱,谢谢!

[ 发自小木虫客户端 ]
16楼2014-12-02 00:39:13
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yinxiaomu

银虫 (正式写手)

做EBL才几天的新手我,目前也遇到了类似的问题,LZ可否告知你采取的解决方法了,谢谢
17楼2015-10-19 17:08:21
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