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arlene135

新虫 (初入文坛)
我有过这样类似的情况，貌似是在打的时候，设置曝光量设成了line 而不是area,会导致图形周围被曝光包围
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11楼2013-11-24 11:11:59
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maximus1214

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by supernatural at 2013-11-24 09:24:47
已经帮你代发金币，5楼的应助者既是3楼应助者，给3楼是一样的...

谢谢斑竹！
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12楼2013-11-24 21:07:50
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Giantslug

金虫 (小有名气)

纳米工匠
那是你过曝光的结果。由于临近效应中的背散射，使得应该曝光的图形之外较大的区域也有来自衬底的背散射，在过曝光的条件下，这些剂量足以使得光刻胶受到部分曝光和显影。但是，这样的现象在快速的化学放大胶上很常见，在迟钝的PMMA上较少见。
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展示所有自己研发的纳米制备工艺成果给大家，是本木虫的宗旨。
13楼2014-01-16 22:13:31
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fyl1989

金虫 (正式写手)
其实就是停留太久了，如果你停留再久点，当你移走SEM视场时，会发现原来视场左上角的位置已经被beam烧出一个点了，最好的方法就是做很多组重复图形，调好参数，显影后观察只用观察其中的一两组就够，如果所观察的都没问题，基本能够确定其他的图形也没什么大问题（就算有也是个别问题）。
还有，这个不是针对你显影不显影的问题，你显影完后PMMA在没被曝光的地方照样是大分子相互连接，当你观察图形时，beam照到这些地方，大分子还是断裂变成小分子，和你第一次曝光的过程是一样的。并且，我们有时为了看套刻是否准确，会在一层胶上连做两次曝光，两次显影，效果也不错，就是这个意思。希望对楼主有所帮助！
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14楼2014-01-17 13:52:39
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金鉴检测小张

新虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
15楼2014-02-15 20:10:37
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franckchen

银虫 (小有名气)
引用回帖:
14楼: Originally posted by fyl1989 at 2014-01-17 13:52:39
其实就是停留太久了，如果你停留再久点，当你移走SEM视场时，会发现原来视场左上角的位置已经被beam烧出一个点了，最好的方法就是做很多组重复图形，调好参数，显影后观察只用观察其中的一两组就够，如果所观察的都 ...

可否留个联系方式，以后有问题多多交流。我做ebl才半年。求邮箱，谢谢！

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16楼2014-12-02 00:39:13
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yinxiaomu

银虫 (正式写手)
做EBL才几天的新手我，目前也遇到了类似的问题，LZ可否告知你采取的解决方法了，谢谢
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17楼2015-10-19 17:08:21
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