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fengyidai金虫 (小有名气)
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MS计算结果偏大有什么解释吗?
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| 麻烦各位了，计算了一个半导体体系,带隙显示偏大了1~2ev,不知道谁有见过相关的文献解释吗?谢谢. |
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2楼2007-12-17 15:54:27
fengyidai
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3楼2007-12-17 15:58:00
4楼2007-12-17 16:02:01
fengyidai
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5楼2007-12-18 07:52:37
★ ★
csfn(金币+2,VIP+0):很清楚，感谢，常来计算版块玩~~
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占据态为1/2应该不会影响。如果是同种结构的话，其它高估带隙的可能我也没听说过，至少MS是这样。同一种物质可能有很多结构（对应的群），在这种情况下，你很难看出来这种差别，你用ICSD卡片出错的可能性还是不小的。你的结构有没有问题？还是得看看对应群的... 我看你下面写的光催化，那就以TiO2为例吧，有金红石、锐钛矿等。单就金红石下面也很多可以称之为子结构，平时你看不到有什么不同，但是你查她们群的时候，就会发现还是有差别的，这样会导致带隙不同。 至于金红石-TiO2和锐钛矿TiO2，她们的能带根本就不一样。 [ Last edited by dawnlight on 2007-12-18 at 09:59 ] |
6楼2007-12-18 09:51:29
fengyidai
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7楼2007-12-18 10:49:04
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9楼2007-12-18 16:01:00
fengyidai
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