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fengyidai

金虫 (小有名气)

[交流] MS计算结果偏大有什么解释吗?

麻烦各位了,计算了一个半导体体系,带隙显示偏大了1~2ev,不知道谁有见过相关的文献解释吗?谢谢.
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csfn

荣誉版主 (知名作家)

优秀超版优秀版主优秀区长

★ ★
spur(金币+2,VIP+0):感谢关注!欢迎常来!:)
你的带隙是和什么东西比较,文献?是实验还是理论,采用的方法是否一致……
比如楼上说的LDA和GGA算出来结果都会有不同。所以如果都是理论你得把参数调节的一样再比较,不同的理论算的那就没多少可比性了,只要你设置的基本可靠就是了,或许别人的方法算得也不一定就准了~~
9楼2007-12-18 16:01:00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

晕啊,很可能是算错了吧?
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
2楼2007-12-17 15:54:27
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fengyidai

金虫 (小有名气)

一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?
3楼2007-12-17 15:58:00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的参与,希望继续关注计算模拟版
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-17 15:58:
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?

如果是那样就应该考虑你模型的问题了。你要的结构在MS自带的文件夹离没有吗?非要自己建模吗?如果建的话,也最好是把别的相同结构的材料导入,然后替换一下原子。MS泛函是LDA和GGA,没有GW,+U,很难高估啊?

哦,对了,忘了告诉你剪刀工具(scissors)也可以抬高带隙,莫非你用了?

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-17 at 16:07 ]
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
4楼2007-12-17 16:02:01
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