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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » MS计算结果偏大有什么解释吗?
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fengyidai

金虫 (小有名气)

[交流] MS计算结果偏大有什么解释吗?

麻烦各位了，计算了一个半导体体系,带隙显示偏大了1~2ev,不知道谁有见过相关的文献解释吗?谢谢.
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1楼 2007-12-17 15:38:29
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
★ ★
csfn(金币+2,VIP+0):很清楚，感谢，常来计算版块玩~~
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-18 07:52:
不是我自己建的,从icsd数据库导入的cif文件,scissors没有用.
还有其他可能吗?另外某个位置有两个原子,占据态都为1/2,这个没有办法,会影响吗?

占据态为1/2应该不会影响。如果是同种结构的话，其它高估带隙的可能我也没听说过，至少MS是这样。同一种物质可能有很多结构（对应的群），在这种情况下，你很难看出来这种差别，你用ICSD卡片出错的可能性还是不小的。你的结构有没有问题？还是得看看对应群的...

我看你下面写的光催化，那就以TiO2为例吧，有金红石、锐钛矿等。单就金红石下面也很多可以称之为子结构，平时你看不到有什么不同，但是你查她们群的时候，就会发现还是有差别的，这样会导致带隙不同。
至于金红石-TiO2和锐钛矿TiO2，她们的能带根本就不一样。

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-18 at 09:59 ]
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
6楼2007-12-18 09:51:29
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
晕啊，很可能是算错了吧？
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
2楼2007-12-17 15:54:27
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fengyidai

金虫 (小有名气)
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?
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3楼2007-12-17 15:58:00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的参与，希望继续关注计算模拟版
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-17 15:58:
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?

如果是那样就应该考虑你模型的问题了。你要的结构在MS自带的文件夹离没有吗？非要自己建模吗？如果建的话，也最好是把别的相同结构的材料导入，然后替换一下原子。MS泛函是LDA和GGA，没有GW，+U，很难高估啊？

哦，对了，忘了告诉你剪刀工具（scissors）也可以抬高带隙，莫非你用了？

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-17 at 16:07 ]
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
4楼2007-12-17 16:02:01
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