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fengyidai

金虫 (小有名气)

[交流] MS计算结果偏大有什么解释吗?

麻烦各位了,计算了一个半导体体系,带隙显示偏大了1~2ev,不知道谁有见过相关的文献解释吗?谢谢.
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dawnlight

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小木虫小小版主

★ ★
csfn(金币+2,VIP+0):很清楚,感谢,常来计算版块玩~~
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-18 07:52:
不是我自己建的,从icsd数据库导入的cif文件,scissors没有用.
还有其他可能吗?另外某个位置有两个原子,占据态都为1/2,这个没有办法,会影响吗?

占据态为1/2应该不会影响。如果是同种结构的话,其它高估带隙的可能我也没听说过,至少MS是这样。同一种物质可能有很多结构(对应的群),在这种情况下,你很难看出来这种差别,你用ICSD卡片出错的可能性还是不小的。你的结构有没有问题?还是得看看对应群的...

我看你下面写的光催化,那就以TiO2为例吧,有金红石、锐钛矿等。单就金红石下面也很多可以称之为子结构,平时你看不到有什么不同,但是你查她们群的时候,就会发现还是有差别的,这样会导致带隙不同。
至于金红石-TiO2和锐钛矿TiO2,她们的能带根本就不一样。

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-18 at 09:59 ]
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
6楼2007-12-18 09:51:29
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

晕啊,很可能是算错了吧?
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
2楼2007-12-17 15:54:27
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fengyidai

金虫 (小有名气)

一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?
3楼2007-12-17 15:58:00
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的参与,希望继续关注计算模拟版
引用回帖:
Originally posted by fengyidai at 2007-12-17 15:58:
一定是算错了吗?并没有很特别的人为调整,简单地把icsd结构导入,用默认值计算,可能是哪里出了问题?应该怎么调整?
没有文献这么报道过吗?

如果是那样就应该考虑你模型的问题了。你要的结构在MS自带的文件夹离没有吗?非要自己建模吗?如果建的话,也最好是把别的相同结构的材料导入,然后替换一下原子。MS泛函是LDA和GGA,没有GW,+U,很难高估啊?

哦,对了,忘了告诉你剪刀工具(scissors)也可以抬高带隙,莫非你用了?

[ Last edited by dawnlight on 2007-12-17 at 16:07 ]
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
4楼2007-12-17 16:02:01
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