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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 理论交流 » CeO2负载型催化剂，掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响
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wu3tian

新虫 (小有名气)

[求助] CeO2负载型催化剂，掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响

1，我做的立方体CeO2，负载nano-Pt，想通过掺Cl、掺K来改变其氧空位形成能力，不知道行不行？
2，活性是有改变，但TPR变化不大，如图（横轴温度），Pt是1%，Cl和K物质的量和Pt为1:1。按理说K和Cl不是走两个极端吗，为啥感觉是从没掺到掺氯到掺钾渐变？
3，用TPR表征氧空位形成能力，是看那个峰啊？还有第100度左右的峰是Pt周围铈的还原吗？
求高手指教，非常感谢！
CeO2负载型催化剂，掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响
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1楼 2013-11-01 21:34:33
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
wu3tian(jiangyun2代发): 金币+3 2013-11-29 17:06:57
引用回帖:
7楼: Originally posted by wu3tian at 2013-11-03 15:25:36
好像Pt在室温或接近室温就能被还原，我估计是Pt周围Ce的还原，您看过相关问下嘛，能给我说下文献不...

文献应该不少把，贵金属加入以后导致Ce的还原峰提前，具体的你搜一下就好了。不单单是Pt。
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9楼2013-11-03 19:15:23
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普通回帖

xzb328

木虫 (知名作家)
这么低吗？不大相信
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xinruzhishui
2楼2013-11-02 08:55:04
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
非文王木木: 金币+1, 感谢交流···欢迎常来 2013-11-02 14:13:45
wu3tian: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-11-03 15:16:50
氧空穴形成用紫外Raman表征最明显。对于CeO2来说，掺Cl、掺K应该都会占据氧空穴的位置，具体表征没做过但是我也掺过，活性下降的都蛮厉害的。
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3楼2013-11-02 09:18:29
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

还有，对于你的TPR，低温的峰很有可能是Pt氧化物和Pt与Ce相互作用Ce表面的氧物种的还原。
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4楼2013-11-02 09:20:01
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wu3tian

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by xzb328 at 2013-11-02 08:55:04
这么低吗？不大相信

负载Pt了
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5楼2013-11-03 15:15:21
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wu3tian

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by apollo911 at 2013-11-02 09:18:29
氧空穴形成用紫外Raman表征最明显。对于CeO2来说，掺Cl、掺K应该都会占据氧空穴的位置，具体表征没做过但是我也掺过，活性下降的都蛮厉害的。

您好，谢谢您，我还想问下紫外raman是指催化剂高温还原后的测得吗？
我主要是想知道氧空位的形成能力差别，是做TPR吗？
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6楼2013-11-03 15:23:45
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wu3tian

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by apollo911 at 2013-11-02 09:20:01
还有，对于你的TPR，低温的峰很有可能是Pt氧化物和Pt与Ce相互作用Ce表面的氧物种的还原。

好像Pt在室温或接近室温就能被还原，我估计是Pt周围Ce的还原，您看过相关问下嘛，能给我说下文献不
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7楼2013-11-03 15:25:36
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apollo911

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by wu3tian at 2013-11-03 15:23:45
您好，谢谢您，我还想问下紫外raman是指催化剂高温还原后的测得吗？
我主要是想知道氧空位的形成能力差别，是做TPR吗？...

不是，就是新鲜催化剂做即可，还原后的空穴会增加。TPR主要还是反应催化剂的本征还原能力。
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8楼2013-11-03 19:13:58
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一路向前冲

新虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by apollo911 at 2013-11-03 19:13:58
不是，就是新鲜催化剂做即可，还原后的空穴会增加。TPR主要还是反应催化剂的本征还原能力。...

请问用氢气还原氧化铈的话4价的铈变成3价，同时产生了氧空位，然后可不可以说铈的物质的量和氧空位的物质的量相等等于消耗的氢气的物质的量呢？
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10楼2018-11-02 18:13:35
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