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wu3tian

新虫 (小有名气)

[求助] CeO2负载型催化剂,掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响

1,我做的立方体CeO2,负载nano-Pt,想通过掺Cl、掺K来改变其氧空位形成能力,不知道行不行?
2,活性是有改变,但TPR变化不大,如图(横轴温度),Pt是1%,Cl和K物质的量和Pt为1:1。按理说K和Cl不是走两个极端吗,为啥感觉是从没掺到掺氯到掺钾渐变?
3,用TPR表征氧空位形成能力,是看那个峰啊?还有第100度左右的峰是Pt周围铈的还原吗?
求高手指教,非常感谢!

CeO2负载型催化剂,掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响
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apollo911

木虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by wu3tian at 2013-11-03 15:23:45
您好,谢谢您,我还想问下紫外raman是指催化剂高温还原后的测得吗?
我主要是想知道氧空位的形成能力差别,是做TPR吗?...

不是,就是新鲜催化剂做即可,还原后的空穴会增加。TPR主要还是反应催化剂的本征还原能力。
8楼2013-11-03 19:13:58
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xzb328

木虫 (知名作家)

这么低吗?不大相信
xinruzhishui
2楼2013-11-02 08:55:04
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
非文王木木: 金币+1, 感谢交流···欢迎常来 2013-11-02 14:13:45
wu3tian: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-11-03 15:16:50
氧空穴形成用紫外Raman表征最明显。对于CeO2来说,掺Cl、掺K应该都会占据氧空穴的位置,具体表征没做过但是我也掺过,活性下降的都蛮厉害的。
3楼2013-11-02 09:18:29
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

还有,对于你的TPR,低温的峰很有可能是Pt氧化物和Pt与Ce相互作用Ce表面的氧物种的还原。
4楼2013-11-02 09:20:01
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