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wu3tian

新虫 (小有名气)

[求助] CeO2负载型催化剂,掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响

1,我做的立方体CeO2,负载nano-Pt,想通过掺Cl、掺K来改变其氧空位形成能力,不知道行不行?
2,活性是有改变,但TPR变化不大,如图(横轴温度),Pt是1%,Cl和K物质的量和Pt为1:1。按理说K和Cl不是走两个极端吗,为啥感觉是从没掺到掺氯到掺钾渐变?
3,用TPR表征氧空位形成能力,是看那个峰啊?还有第100度左右的峰是Pt周围铈的还原吗?
求高手指教,非常感谢!

CeO2负载型催化剂,掺Cl和掺K对其氧空位形成能力的影响
图片1.png
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一路向前冲

新虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by apollo911 at 2013-11-03 19:13:58
不是,就是新鲜催化剂做即可,还原后的空穴会增加。TPR主要还是反应催化剂的本征还原能力。...

请问用氢气还原氧化铈的话4价的铈变成3价,同时产生了氧空位,然后可不可以说铈的物质的量和氧空位的物质的量相等等于消耗的氢气的物质的量呢?
10楼2018-11-02 18:13:35
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xzb328

木虫 (知名作家)

这么低吗?不大相信
xinruzhishui
2楼2013-11-02 08:55:04
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
非文王木木: 金币+1, 感谢交流···欢迎常来 2013-11-02 14:13:45
wu3tian: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-11-03 15:16:50
氧空穴形成用紫外Raman表征最明显。对于CeO2来说,掺Cl、掺K应该都会占据氧空穴的位置,具体表征没做过但是我也掺过,活性下降的都蛮厉害的。
3楼2013-11-02 09:18:29
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apollo911

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

还有,对于你的TPR,低温的峰很有可能是Pt氧化物和Pt与Ce相互作用Ce表面的氧物种的还原。
4楼2013-11-02 09:20:01
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