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负极材料包覆导电物质后容量超过理论容量的原因
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t270135370
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负极材料包覆导电物质后容量超过理论容量的原因
负极材料包覆导电物质后容量超过理论容量的原因除了电导率提高的因素外,还有什么因素?怎么解释?
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2013-10-31 18:17:32
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peter880622
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导电物质是否本质上存在电容量?
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2013-11-01 15:59:04
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liucheng200883
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t270135370: 金币+1
2013-11-02 08:27:33
负极材料包覆导电物质后容量超过理论容量是不可能的,除非你的导电物质本身具有储锂的能力,不过多数情况下应该是你的测试容量的方法有问题。
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3楼
2013-11-01 17:28:16
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Kunfu
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t270135370: 金币+1
2013-11-03 10:07:33
第一圈要是超过了很多人的解释是SEI,反正是个混沌体,大家都说是SEI
如果是其他的圈超过了,那就是你的称重质量有些不精确了
如果你的材料是MoS2,那超过理论容量很正常,
其他的,就不知道了
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2013-11-01 21:28:20
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2013-11-03 10:07:21
产生的氧化锂形成了sei膜,这个膜对容量是有贡献的,但是因为导电性差,sei膜容量贡献有限,包了导电性材料,容量提高就可以解释了。
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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5楼
2013-11-03 00:11:06
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4楼
:
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Kunfu
at 2013-11-01 21:28:20
第一圈要是超过了很多人的解释是SEI,反正是个混沌体,大家都说是SEI
如果是其他的圈超过了,那就是你的称重质量有些不精确了
如果你的材料是MoS2,那超过理论容量很正常,
其他的,就不知道了
为什么MOS2超过理论容量很正常呢
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6楼
2014-12-17 03:56:26
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