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w778023076新虫 (初入文坛)
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[交流]
关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品，造成样品电子束损伤的问题 已有4人参与
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| 利用电子束技术，可以得到样品内各种信息，从而催生了SEM/TEM/AES等的开发和普及。但是当电子束轰击样品时，会造成电子束损伤，如样品局部结构改变甚至部分样品熔融，想请教大家一个问题，初次电子束束斑大小（30nm/100nm/1μm）、束流（0.25nA/10nA/1μA）和电子束能量（3keV/10keV/50keV/100keV）分别造成多大的电子损伤，特别是在样品内会产生多高的温度？不知道大家有没有这方面的资料和文献，谢谢啦 |
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