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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 材料测试 » 请教关于磁控溅射的相关问题
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liu2004m

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[交流] 请教关于磁控溅射的相关问题

本人刚开始使用磁控溅射,想了解一下,我如果想做铜铟硒薄膜,是用单靶好,还是多靶好,请各位大虾指点!

还有就是硒化炉的相关参数有哪些,现在想买一台,请各位多提供一点信息!
谢谢!
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1楼 2007-11-28 14:50:53
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wesley

★
3040821025(金币+1,VIP+0):谢谢提供
溅射所得薄膜与合金靶的成分基本一致，如果需要调整薄膜组成比例，最好还是用多靶
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2楼2007-11-28 14:59:49
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liu2004m

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谢谢,如果用合金靶的话,因为各个成分的温度性质不一样,比如熔点什么的,这应该会对薄膜质量产生影响吧
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3楼2007-11-29 20:15:21
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Tavano

铁杆木虫 (正式写手)
多靶溅射薄膜的成分主要由靶面积、溅射所用功率等工艺条件、靶材料溅射产额及其在基片上的附着率来决定，与各组元熔点蒸气压没什么关系
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4楼2007-11-29 20:51:07
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wesley

如果是蒸发镀膜的话，合金材料做蒸发源就会出现合金薄膜偏析，膜组成不均匀的情况，溅射镀膜不会有这种情况，而且薄膜的成分基本与合金靶一致，

多靶溅射时可以通过调整靶的输出功率改变膜的金属组分比，而且可以通过加入反应性气体得到化合物膜，

比如制备TixAlyN薄膜
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5楼2007-11-29 21:36:03
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waylee2000

金虫 (著名写手)

1
南开再做一个８６３项目.
去南开问最好了.
用溅射作CIS？你慢慢摸索，找到工艺告诉我们啊，哈哈哈
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1
6楼2007-11-29 23:56:45
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liu2004m

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我会努力找合适的工艺的，希望各位大虾以后多指点！
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7楼2007-12-02 08:51:45
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hanchengxi

新虫 (初入文坛)
楼上几位说的不错。磁控溅射工艺参数主要就是各溅射靶的功率，以及外加反应气体的流量（或者叫压力，对于镀制化合物薄膜来说）。其他当然还要考虑真空室真空度，冷却系统，靶的空间排布等等。
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8楼2007-12-02 09:45:01
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