| 查看: 701 | 回复: 1 | ||
[求助]
SiC外延生长石墨烯的缓冲层在氢等离子体中曝光为什么可以将其转变为石墨烯层?
|
| 在SiC上外延生长石墨烯时会有6√3*6√3 R30度的缓冲层形成,在氢气气氛中曝光可以将缓冲层转变为石墨烯层。我想问问这个缓冲层的晶格矢量是原来的6√3倍,那么它是怎么重构成石墨烯层的?只要就是搞不清楚这个晶格矢量到底是怎么变的? |
» 猜你喜欢
求助JCPDS卡片65-1073
已经有0人回复
导电高分子用什么工艺处理分子链的堆叠会更加规整???
已经有23人回复
无机非金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有222人回复
淄博无机非金属材料测试
已经有0人回复
化药设备差距真相,您了解有种钽中间体吗?
已经有0人回复
水系锌离子电池
已经有5人回复
ICH Q3D高压下,钽金属如何让药品纯度再上一个台阶?
已经有0人回复
钽:盐酸环境中的 “抗腐蚀王者”— 耐盐酸腐蚀金属材料详解
已经有0人回复
安全第一,耐蚀升级:钽涂层在化工反应釜防腐中的实用详解
已经有3人回复
钽:混合酸硝化的 “耐腐王者”
已经有0人回复
新修订《药品管理法实施条例》下制药设备创新与合规讨论
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
wednesdayboy
金虫 (小有名气)
- 应助: 14 (小学生)
- 金币: 447.1
- 红花: 5
- 帖子: 166
- 在线: 62.7小时
- 虫号: 1311255
- 注册: 2011-05-31
- 专业: 电化学
2楼2013-11-02 11:42:51













回复此楼