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SiC外延生长石墨烯的缓冲层在氢等离子体中曝光为什么可以将其转变为石墨烯层？
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| 在SiC上外延生长石墨烯时会有6√3*6√3 R30度的缓冲层形成，在氢气气氛中曝光可以将缓冲层转变为石墨烯层。我想问问这个缓冲层的晶格矢量是原来的6√3倍，那么它是怎么重构成石墨烯层的？只要就是搞不清楚这个晶格矢量到底是怎么变的？ |
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