| 查看: 863 | 回复: 1 | ||
[求助]
SiC外延生长石墨烯的缓冲层在氢等离子体中曝光为什么可以将其转变为石墨烯层？
|
| 在SiC上外延生长石墨烯时会有6√3*6√3 R30度的缓冲层形成，在氢气气氛中曝光可以将缓冲层转变为石墨烯层。我想问问这个缓冲层的晶格矢量是原来的6√3倍，那么它是怎么重构成石墨烯层的？只要就是搞不清楚这个晶格矢量到底是怎么变的？ |
回复此楼» 猜你喜欢
没有青基直接申请面上，感觉自己疯了
已经有12人回复
-
材料与化工求调剂
已经有14人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有196人回复
-
广东江门 五邑大学柔性传感材料与器件研究开发中心 招收0805、0856调剂硕士
已经有10人回复
-
考研调剂
已经有12人回复
-
广州双一流高校招光电、材料、机械
已经有0人回复
-
寻找耐酸表面活性剂
已经有6人回复
-
寻购镀膜及薄膜表征机构
已经有2人回复
-
哈尔滨工业大学（本部）急招2027级申请-考核博士研究生，9月29日截止
已经有2人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
wednesdayboy
金虫 (小有名气)
- 应助: 14 (小学生)
- 金币: 447.1
- 红花: 5
- 帖子: 166
- 在线: 62.7小时
- 虫号: 1311255
- 注册: 2011-05-31
- 专业: 电化学
2楼2013-11-02 11:42:51
