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氮化镓的能带结构
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| 请教下氮化镓导带和价带相对于真空能级的位置。p型氮化镓与n型氮化镓的导带和价带的位置是否相同？如果不相同，那么其禁隙宽度是否相同？对于不同掺杂浓度的半导体，其禁带宽度又如何呢？ |
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【答案】应助回帖
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华丽的飘过: 金币+10, 3q 2013-09-14 02:32:02
happy121198: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-09-24 20:12:28
华丽的飘过: 金币+10, 3q 2013-09-14 02:32:02
happy121198: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-09-24 20:12:28
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根据楼主问题，做以下回答： 在进行分析时候，不管导带价带，不管p型n型，只看逸出功函数。逸出功函数不随p型n型而改变，是固定的。逸出功函数的定义：费米能级到真空能级的距离值。 你只抓住逸出功，抓住费米能级和真空能级，其余问题迎刃而解。 随掺杂浓度的增大，禁带宽度稍微变窄，但该值很小，一般情况的计算，是可以忽略的。 1.氮化镓导带和价带相对于真空能级的位置。 答：有了逸出功的概念，则先画出导带价带，其次，画出费米能级，然后画出真空能级。下面接着说p型和n型。 2.p型氮化镓与n型氮化镓的导带和价带的位置是否相同？ 答： 你说的这个位置，似是而非。一般是指相对真空能级而言的。 p型，费米能级接近价带；n型，费米能级接近导带。 根据逸出功的概念，就知道p型材料，相对真空能级近；n型，相对真空能级远。 3.pn结。 答：当p型和n型接触时，就会形成pn结，这时候，二者形成一个整体材料，因此费米能级就连成一线了。在p型一边，费米能级仍靠近导带底；n型一边，费米能级仍靠近价带底。而在pn结（p型n型接触部分，会形成电势差），这里会发生能带弯曲。用平滑曲线连起来就可以了。如p-GaN和 n-GaN形成的pn结。 这在一般书中都有。 对于不同禁带宽度的半导体，他们形成的pn结，在连接部分，会有能带突变。但你只要抓住费米能级这个令p型和n型连接的关键，就可以画出p结能带了。 |
2楼2013-09-13 19:49:28