[求助] different charged states

» 猜你喜欢

到新单位后，换了新的研究方向，没有团队，持续积累2区以上论文，能申请到面上吗已经有13人回复
博士申请都是内定的吗？已经有6人回复
之前让一硕士生水了7个发明专利，现在这7个获批发明专利的维护费可从哪儿支出哈？已经有5人回复
博士读完未来一定会好吗已经有29人回复
投稿精细化工已经有4人回复
高职单位投计算机相关的北核或SCI四区期刊推荐，求支招！已经有4人回复
导师想让我从独立一作变成了共一第一已经有9人回复
读博已经有4人回复
JMPT 期刊投稿流程已经有4人回复
心脉受损已经有5人回复

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

每周一听——那些年我们一起练过的听力（第26期）已经有51人回复
Diagrammatica: The Path to Feynman Diagrams 已经有44人回复
【其他】征集第一性原理计算方面牛人的主页【活动结束】已经有80人回复
【求助】用materials studio算东西发表论文时参考文献应该怎么写？已经有3人回复
09年晶体牛人名家实验室链接介绍(回帖有金币) 已经有161人回复

1楼2013-08-21 17:53:28

iamikaruk

木虫 (著名写手)

1ST强帖: 1
应助: 11 (小学生)
金币: 4950.3
散金: 118
红花: 76
帖子: 1362
在线: 543.8小时
虫号: 1315985
注册: 2011-06-05
专业: 无机非金属类电介质与电解

vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]

2楼2013-08-22 18:33:40

xuejing141

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 2478.5
帖子: 57
在线: 283.7小时
虫号: 1979801
注册: 2012-09-06
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

引用回帖:

2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i23/p232408_s1
这篇文章也有类似的计算，不知道是怎么实现的？

3楼2013-08-23 08:24:57

stractor

金虫 (著名写手)

1ST强帖: 6
应助: 91 (初中生)
金币: 1487.6
散金: 666
红花: 30
沙发: 1
帖子: 2224
在线: 426.8小时
虫号: 394087
注册: 2007-06-06
专业: 半导体材料

引用回帖:

2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。

4楼2013-08-23 18:00:22

iamikaruk

木虫 (著名写手)

1ST强帖: 1
应助: 11 (小学生)
金币: 4950.3
散金: 118
红花: 76
帖子: 1362
在线: 543.8小时
虫号: 1315985
注册: 2011-06-05
专业: 无机非金属类电介质与电解

引用回帖:

4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。...

用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。

[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]

5楼2013-08-23 21:36:35

xuejing141

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 2478.5
帖子: 57
在线: 283.7小时
虫号: 1979801
注册: 2012-09-06
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

引用回帖:

4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。...

能说详细一点吗?谢谢啦

6楼2013-08-24 09:20:50

stractor

金虫 (著名写手)

1ST强帖: 6
应助: 91 (初中生)
金币: 1487.6
散金: 666
红花: 30
沙发: 1
帖子: 2224
在线: 426.8小时
虫号: 394087
注册: 2007-06-06
专业: 半导体材料

【答案】应助回帖

★ ★
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2013-08-30 09:52:06

引用回帖:

5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那个多出或者移走的电荷就分布在缺陷周围。

7楼2013-08-28 17:09:47

stractor

金虫 (著名写手)

1ST强帖: 6
应助: 91 (初中生)
金币: 1487.6
散金: 666
红花: 30
沙发: 1
帖子: 2224
在线: 426.8小时
虫号: 394087
注册: 2007-06-06
专业: 半导体材料

【答案】应助回帖

引用回帖:

5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。

8楼2013-08-28 17:10:43

iamikaruk

木虫 (著名写手)

1ST强帖: 1
应助: 11 (小学生)
金币: 4950.3
散金: 118
红花: 76
帖子: 1362
在线: 543.8小时
虫号: 1315985
注册: 2011-06-05
专业: 无机非金属类电介质与电解

引用回帖:

8楼: Originally posted by stractor at 2013-08-28 17:10:43
设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。...

感觉不是自然的处理方法啊，从结果上也许没有问题，但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢？或者从另外一个角度来说，这样得到的是全局极小值还是局域极小值

[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]

9楼2013-08-29 12:56:12

stractor

金虫 (著名写手)

1ST强帖: 6
应助: 91 (初中生)
金币: 1487.6
散金: 666
红花: 30
沙发: 1
帖子: 2224
在线: 426.8小时
虫号: 394087
注册: 2007-06-06
专业: 半导体材料

【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2013-08-30 09:52:18

引用回帖:

9楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-29 12:56:12
感觉不是自然的处理方法啊，从结果上也许没有问题，但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢？或者从另外一个角度来说，这样得到的是全局极小值还是局域极小值

...

这个是一样的，因为移走或者拿进带电的缺陷后，晶体中其它位置的原子排列没有变化（带电缺陷周围原子除外），因此，自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化，多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接触的2个第一原理软件，一个是VASP,一个是SPHINx，均是这么处理。

10楼2013-08-29 16:01:06