[求助] different charged states

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1楼2013-08-21 17:53:28

iamikaruk

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vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

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2楼2013-08-22 18:33:40

xuejing141

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2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i23/p232408_s1
这篇文章也有类似的计算，不知道是怎么实现的？

3楼2013-08-23 08:24:57

stractor

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2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。

4楼2013-08-23 18:00:22

iamikaruk

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4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。...

用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。

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5楼2013-08-23 21:36:35

xuejing141

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4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。...

能说详细一点吗?谢谢啦

6楼2013-08-24 09:20:50

stractor

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5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那个多出或者移走的电荷就分布在缺陷周围。

7楼2013-08-28 17:09:47

stractor

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5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法？改赝势？
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。

8楼2013-08-28 17:10:43

iamikaruk

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8楼: Originally posted by stractor at 2013-08-28 17:10:43
设置体系的总电子数，当体系电荷自洽后，那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。...

感觉不是自然的处理方法啊，从结果上也许没有问题，但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢？或者从另外一个角度来说，这样得到的是全局极小值还是局域极小值

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9楼2013-08-29 12:56:12

stractor

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9楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-29 12:56:12
感觉不是自然的处理方法啊，从结果上也许没有问题，但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢？或者从另外一个角度来说，这样得到的是全局极小值还是局域极小值

...

这个是一样的，因为移走或者拿进带电的缺陷后，晶体中其它位置的原子排列没有变化（带电缺陷周围原子除外），因此，自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化，多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接触的2个第一原理软件，一个是VASP,一个是SPHINx，均是这么处理。

10楼2013-08-29 16:01:06