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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xuejing141

新虫 (小有名气)

[求助] different charged states

有谁知道这个Gd原子不同的charged states在计算中是怎么实现的呢,也就是怎么就可以设置每个Gd原子的charged states.
different charged states
无标题.png
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iamikaruk

木虫 (著名写手)

vasp可以控制每个原子上的charge state么?我挺怀疑的
[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
2楼2013-08-22 18:33:40
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xuejing141

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么?我挺怀疑的

http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i23/p232408_s1
这篇文章也有类似的计算,不知道是怎么实现的?
3楼2013-08-23 08:24:57
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stractor

金虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么?我挺怀疑的

完全可以的。对charged 的缺陷,文献已经很多了。
4楼2013-08-23 18:00:22
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iamikaruk

木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷,文献已经很多了。...

用什么方法?改赝势?
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。
[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
5楼2013-08-23 21:36:35
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xuejing141

新虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by stractor at 2013-08-23 18:00:22
完全可以的。对charged 的缺陷,文献已经很多了。...

能说详细一点吗?谢谢啦
6楼2013-08-24 09:20:50
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2013-08-30 09:52:06
引用回帖:
5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法?改赝势?
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数,当体系电荷自洽后,那个多出或者移走的电荷就分布在缺陷周围。
7楼2013-08-28 17:09:47
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-23 21:36:35
用什么方法?改赝势?
本身原子或缺陷的电荷就不是一个很好定义的东西。...

设置体系的总电子数,当体系电荷自洽后,那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。
8楼2013-08-28 17:10:43
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iamikaruk

木虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by stractor at 2013-08-28 17:10:43
设置体系的总电子数,当体系电荷自洽后,那移走或者添加的电荷就分布在缺陷周围。...

感觉不是自然的处理方法啊,从结果上也许没有问题,但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢?或者从另外一个角度来说,这样得到的是全局极小值还是局域极小值
[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
9楼2013-08-29 12:56:12
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2013-08-30 09:52:18
引用回帖:
9楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-29 12:56:12
感觉不是自然的处理方法啊,从结果上也许没有问题,但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢?或者从另外一个角度来说,这样得到的是全局极小值还是局域极小值...

这个是一样的,因为移走或者拿进带电的缺陷后,晶体中其它位置的原子排列没有变化(带电缺陷周围原子除外),因此,自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化,多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接触的2个第一原理软件,一个是VASP,一个是SPHINx,均是这么处理。
10楼2013-08-29 16:01:06
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