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iamikaruk

木虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by stractor at 2013-08-29 16:01:06
这个是一样的,因为移走或者拿进带电的缺陷后,晶体中其它位置的原子排列没有变化(带电缺陷周围原子除外),因此,自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化,多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接 ...

我觉得并不一定能够保证多余的或减少的电子分布在缺陷周围。特别是对于含d和含f的原子,我会打一个大大的问号。
[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
11楼2013-08-29 18:13:29
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xuejing141

新虫 (小有名气)

引用回帖:
10楼: Originally posted by stractor at 2013-08-29 16:01:06
这个是一样的,因为移走或者拿进带电的缺陷后,晶体中其它位置的原子排列没有变化(带电缺陷周围原子除外),因此,自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化,多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接 ...

也就是只需要在INCAR里面设置参数NELECT,假如原来体系的价电子总数为180,那么我设置NELECT=180.5 的意思就是使得体系中多了0.5个电子,对吗??谢谢了
12楼2013-11-27 15:07:30
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