[求助] different charged states

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1楼2013-08-21 17:53:28

stractor

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【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2013-08-30 09:52:18

引用回帖:

9楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-29 12:56:12
感觉不是自然的处理方法啊，从结果上也许没有问题，但是是否有人研究过这样的处理与一个真正带电缺陷一样呢？或者从另外一个角度来说，这样得到的是全局极小值还是局域极小值

...

这个是一样的，因为移走或者拿进带电的缺陷后，晶体中其它位置的原子排列没有变化（带电缺陷周围原子除外），因此，自洽后其它原子周围的电荷分布也不会有变化，多余或者减小的电荷就在缺陷周围分布了。现在我所接触的2个第一原理软件，一个是VASP,一个是SPHINx，均是这么处理。

10楼2013-08-29 16:01:06

查看全部 12 个回答

iamikaruk

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vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]

2楼2013-08-22 18:33:40

xuejing141

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2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i23/p232408_s1
这篇文章也有类似的计算，不知道是怎么实现的？

3楼2013-08-23 08:24:57

stractor

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2楼: Originally posted by iamikaruk at 2013-08-22 18:33:40
vasp可以控制每个原子上的charge state么？我挺怀疑的

完全可以的。对charged 的缺陷，文献已经很多了。

4楼2013-08-23 18:00:22