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XRD探测器能量分辨率指什么
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| 如题，有判定标准吗？ |
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xhtangxh
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指探测器对X射线的能量的分辨能力，简单地说就是对具有不同频率/波长/能量的光子的识别能力。X射线探测器分为多种，能量分辨型的一般是半导体探测器，目前最常用的X射线能量探测器是锂漂移硅半导体固体探测器，即Si(Li)固体探测器，它实际上是一只P-I-N型二极管，其中I区就是锂漂移硅半导体。无X射线光子入射时，I区不存在载流子；X射线光子入射后，就在I区产生电子－空穴对。低温时每产生一对电子－空穴对需消耗的能量为3.8eV，因此光子能量为E(eV)的入射X射线产生的电子－空穴对数量为n＝E/3.8eV。在这种探测器上加300~400V电压时无电流通过，但如果有一个X射线光子射入半导体的本征层，则被吸收而形成若干电子－空穴对，电子和空穴在P-N结两端电压作用下，迅速向P层和N层运动形成一个脉冲，并被外电路中的电容Cd收集。如果收集到的电量为ΔQ，在Cd两侧形成一个电压Δu，Δu=ΔQ/Cd，因此对应一个入射X射线光子，就有一个对应脉冲输出。从输出的脉冲高度可判别入射X射线光子的能量(波长)，从输出的脉冲数目可测出输入光子的数量(强度)。 不同半导体探测器的能量分辨率如下： Si(Li) 电致冷-90oC 优于150eV Si PIN 电制冷-20oC 一般为250eV，可达158eV SDD 电制冷-10oC 一般优于200eV，可达127eV |
2楼2013-08-14 11:03:19
3楼2013-08-15 09:10:46
