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最后的战役

铁杆木虫 (著名写手)

[求助] 关于金属钴的请化学吸附测活性位数

测金属钴的活性位数,文献上记载用氢化学吸附是先还原,然后在还原温度的时候抽真空,再降温在某一温度下脉冲吸附测得吸附量(J. AM. CHEM. SOC.  128, 2006, 3957)。
我有点不懂其中的细节,高温下抽完真空后就换位惰性气氛吹扫,再降温在某一温度下脉冲吸附?还是降温后在真空气氛下进行的吸附?
这种操作跟H2-TPD在结果上会有什么不同?
求高手解答,最好给出具体的测试操作细节,谢谢
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changyuan218

木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
jiangyun2: 金币+1, 谢谢回帖交流,欢迎常来~~~ 2013-07-31 12:19:08
最后的战役: 金币+1, 有帮助 2013-08-11 11:06:45
抽真空后无需换惰性气氛吹扫,直接降至测定温度,进行吸附实验。
这跟H2-TPD没什么可比较的,一个吸附,一个脱附啊。。。
3楼2013-07-31 11:03:15
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freelover

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
非文王木木: 金币+1, 感谢交流···欢迎常来 2013-07-31 10:56:34
最后的战役: 金币+2, 有帮助 2013-08-11 11:06:30
抽真空后无需换惰性气氛吹扫,直接降至测定温度,进行吸附实验。
这跟H2-TPD没什么可比较的,一个吸附,一个脱附啊。。。
2楼2013-07-31 10:23:21
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pumpkinlan

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
jiangyun2: 金币+1, 谢谢回帖交流,欢迎常来~~~ 2013-07-31 12:19:03
最后的战役: 金币+9, ★★★★★最佳答案 2013-08-11 11:07:05
楼主没看明白文献中测分散度的方法,文中用的是Micromeritics ASAP 2010C,采用的是静态吸附法测定的分散度,不是动态的脉冲吸附。静态吸附是在高温抽真空后降温,在指定温度下直接进行吸附,原理和氮气吸附的类似。首先得到一条吸附量随压力变化的曲线(吸附量为化学吸附加上物理吸附),可以通过外推到零点的方式得到单层的化学吸附量。也可以再次抽真空,将物理吸附氢抽走,在进行物理吸附,再得到一条吸附量随压力变化的曲线(物理吸附),将之前的曲线减去之后的曲线,得到的就是化学吸附的线,然后得到单层化学吸附量。
至于动态脉冲吸附法,一般是会用到惰气吹扫的步骤。
4楼2013-07-31 11:09:21
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最后的战役

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by pumpkinlan at 2013-07-31 11:09:21
楼主没看明白文献中测分散度的方法,文中用的是Micromeritics ASAP 2010C,采用的是静态吸附法测定的分散度,不是动态的脉冲吸附。静态吸附是在高温抽真空后降温,在指定温度下直接进行吸附,原理和氮气吸附的类似。 ...

谢谢您非常有指导意义的回复:
请问您知道国内在哪里能做这方面的测试吗?
如果这个测试做不了,我用H2-TPD代替测化学吸附量,我的操作是:50mg催化剂(60-80mesh) 在10%H2/Ar下以10℃/min程序升温至400℃,在400℃恒温2h(此过程记录一下还原曲线),然后在H2/Ar气氛下冷却至50℃恒温,50℃下切换为高纯Ar吹扫至基线平稳,然后10℃/min升温至400℃,在400℃恒温至基线平稳。
这也是文献上记载的操作,而我用天津先权公司的TP-5080采用以上操作为何就测不出H2脱附的信号呢?我的操作步骤是否有误?
5楼2013-08-11 11:28:47
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