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mittoefl铁杆木虫 (正式写手)
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纳米线FET测试求助
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本人在做氮化镓纳米线FET，器件结构如下图1： 基底用的是带氧化层硅片（电阻率：1-10欧厘米，500 nm SiO2，这些都是参考文献购买的），硅背底作为栅极。看到文献上有两种测试方法，第一种是I-Vds曲线（Vds从-1到1V扫描，然后加栅压可以得到I-V曲线斜率的变化），第二种是I-Vg曲线（也就是在给定的Vds下来改变栅压）因为我做出器件源漏电极大都是肖特基接触，所以采用了第二种测试方法.现有以下几个问题，求各位大神指教。 1.做的器件源漏电极大都是肖特基接触，这样用第二种方法能不能测出FET特性，我现在的问题就是加了栅极电压，Ids没有变化。如果是肖特基接触是FET性能没有欧姆接触的明显还是根本就没有，是不是源漏必须是欧姆接触才能测出.最好是能有这方面的资料。 2.图2是我测得的一个结果，用的是第二种测试方法，红色表示栅压为正，黑色栅压为负,Vds=0.5 v，Vg从0.1到1 V,现在的问题是当我加负的Vg逐渐增大时，按理是电流无线接近于0，相当于夹断，但是我测得的结果是当Vg大于-2V时，Ids会出现负值，而且器件会被损坏，我用的二氧化硅的氧化层是500 nm，二氧化硅的理论击穿电压时1V/nm，我加的栅压远远低于击穿电压.  图1.JPG  图2.JPG [ Last edited by mittoefl on 2013-7-13 at 10:30 ] |
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