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mittoefl

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] 纳米线FET测试求助

本人在做氮化镓纳米线FET，器件结构如下图1：
基底用的是带氧化层硅片（电阻率：1-10欧厘米，500 nm SiO2，这些都是参考文献购买的），硅背底作为栅极。看到文献上有两种测试方法，第一种是I-Vds曲线（Vds从-1到1V扫描，然后加栅压可以得到I-V曲线斜率的变化），第二种是I-Vg曲线（也就是在给定的Vds下来改变栅压）因为我做出器件源漏电极大都是肖特基接触，所以采用了第二种测试方法.现有以下几个问题，求各位大神指教。
1.做的器件源漏电极大都是肖特基接触，这样用第二种方法能不能测出FET特性，我现在的问题就是加了栅极电压，Ids没有变化。如果是肖特基接触是FET性能没有欧姆接触的明显还是根本就没有，是不是源漏必须是欧姆接触才能测出.最好是能有这方面的资料。
2.图2是我测得的一个结果，用的是第二种测试方法，红色表示栅压为正，黑色栅压为负,Vds=0.5 v，Vg从0.1到1 V,现在的问题是当我加负的Vg逐渐增大时，按理是电流无线接近于0，相当于夹断，但是我测得的结果是当Vg大于-2V时，Ids会出现负值，而且器件会被损坏，我用的二氧化硅的氧化层是500 nm，二氧化硅的理论击穿电压时1V/nm，我加的栅压远远低于击穿电压.
纳米线FET测试求助
图1.JPG


纳米线FET测试求助-1
图2.JPG

[ Last edited by mittoefl on 2013-7-13 at 10:30 ]
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头都大了
1楼 2013-07-13 08:55:57
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mittoefl

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by sgquan at 2013-07-16 10:30:42
先不要加栅压测一组I-Vds曲线，确认一下是肖特基接触还是欧姆接触。
FET性能主要是通过外电场（栅压）控制源漏两端载流子输运性的，如果源漏两端都不是欧姆接触的话，您最后怎么能准确算出沟道的载流子迁移率呢。
...

纳米线很难做出欧姆接触，我只是想能判断出纳米线的PN型就行，第二个图我是先加的不同的栅压，然后每一个栅压下取一个值，也就是21个点，画出Ids-Vg曲线
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头都大了
3楼2013-07-16 10:55:49
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sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
mittoefl: 金币+20 2013-07-16 10:49:11
先不要加栅压测一组I-Vds曲线，确认一下是肖特基接触还是欧姆接触。
FET性能主要是通过外电场（栅压）控制源漏两端载流子输运性的，如果源漏两端都不是欧姆接触的话，您最后怎么能准确算出沟道的载流子迁移率呢。
第二个图，为什么是电流在不同栅压下随时间的变化呢，不知您想通过这个图说明什么，一般不是Ids-Vg曲线么？
以上是我自己浅薄的理解，如有误导还请谅解。
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2楼2013-07-16 10:30:42
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sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by mittoefl at 2013-07-16 10:55:49
纳米线很难做出欧姆接触，我只是想能判断出纳米线的PN型就行，第二个图我是先加的不同的栅压，然后每一个栅压下取一个值，也就是21个点，画出Ids-Vg曲线...

确定纳米线的PN型的话，测个输出和转移不就能看出是PN型了么？
你是做GaN纳米线P型掺杂么？我也是做这个的，可以交流。
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4楼2013-07-16 11:19:00
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welljay

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
mittoefl: 金币+20 2013-07-16 17:55:11
怎么可能做得都是肖特基接触来，你要多试几次电极材料，找到最适合的那种材料做电极，那样必须是欧姆接触的啊，而且根据你如此详尽的描述就知道你没有做很多器件啦，你多做些在测然后列出数据的柱状图再分析哟
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5楼2013-07-16 17:19:44
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