应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

Znn3bq.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 纳米线FET测试求助
51/1返回列表
查看: 1995  |  回复: 8
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

mittoefl

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] 纳米线FET测试求助

本人在做氮化镓纳米线FET，器件结构如下图1：
基底用的是带氧化层硅片（电阻率：1-10欧厘米，500 nm SiO2，这些都是参考文献购买的），硅背底作为栅极。看到文献上有两种测试方法，第一种是I-Vds曲线（Vds从-1到1V扫描，然后加栅压可以得到I-V曲线斜率的变化），第二种是I-Vg曲线（也就是在给定的Vds下来改变栅压）因为我做出器件源漏电极大都是肖特基接触，所以采用了第二种测试方法.现有以下几个问题，求各位大神指教。
1.做的器件源漏电极大都是肖特基接触，这样用第二种方法能不能测出FET特性，我现在的问题就是加了栅极电压，Ids没有变化。如果是肖特基接触是FET性能没有欧姆接触的明显还是根本就没有，是不是源漏必须是欧姆接触才能测出.最好是能有这方面的资料。
2.图2是我测得的一个结果，用的是第二种测试方法，红色表示栅压为正，黑色栅压为负,Vds=0.5 v，Vg从0.1到1 V,现在的问题是当我加负的Vg逐渐增大时，按理是电流无线接近于0，相当于夹断，但是我测得的结果是当Vg大于-2V时，Ids会出现负值，而且器件会被损坏，我用的二氧化硅的氧化层是500 nm，二氧化硅的理论击穿电压时1V/nm，我加的栅压远远低于击穿电压.
纳米线FET测试求助
图1.JPG


纳米线FET测试求助-1
图2.JPG

[ Last edited by mittoefl on 2013-7-13 at 10:30 ]
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
头都大了
1楼 2013-07-13 08:55:57
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

welljay

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
mittoefl: 金币+20 2013-07-16 17:55:11
怎么可能做得都是肖特基接触来，你要多试几次电极材料，找到最适合的那种材料做电极，那样必须是欧姆接触的啊，而且根据你如此详尽的描述就知道你没有做很多器件啦，你多做些在测然后列出数据的柱状图再分析哟
赞一下 回复此楼
5楼2013-07-16 17:19:44
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 9 个回答

sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
mittoefl: 金币+20 2013-07-16 10:49:11
先不要加栅压测一组I-Vds曲线，确认一下是肖特基接触还是欧姆接触。
FET性能主要是通过外电场（栅压）控制源漏两端载流子输运性的，如果源漏两端都不是欧姆接触的话，您最后怎么能准确算出沟道的载流子迁移率呢。
第二个图，为什么是电流在不同栅压下随时间的变化呢，不知您想通过这个图说明什么，一般不是Ids-Vg曲线么？
以上是我自己浅薄的理解，如有误导还请谅解。
赞一下 回复此楼
2楼2013-07-16 10:30:42
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mittoefl

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by sgquan at 2013-07-16 10:30:42
先不要加栅压测一组I-Vds曲线，确认一下是肖特基接触还是欧姆接触。
FET性能主要是通过外电场（栅压）控制源漏两端载流子输运性的，如果源漏两端都不是欧姆接触的话，您最后怎么能准确算出沟道的载流子迁移率呢。
...

纳米线很难做出欧姆接触，我只是想能判断出纳米线的PN型就行，第二个图我是先加的不同的栅压，然后每一个栅压下取一个值，也就是21个点，画出Ids-Vg曲线
赞一下 回复此楼
头都大了
3楼2013-07-16 10:55:49
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sgquan

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by mittoefl at 2013-07-16 10:55:49
纳米线很难做出欧姆接触，我只是想能判断出纳米线的PN型就行，第二个图我是先加的不同的栅压，然后每一个栅压下取一个值，也就是21个点，画出Ids-Vg曲线...

确定纳米线的PN型的话，测个输出和转移不就能看出是PN型了么？
你是做GaN纳米线P型掺杂么？我也是做这个的，可以交流。
赞一下 回复此楼
4楼2013-07-16 11:19:00
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 9 个回答
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 恳请有学校收留 +6 柯淮然 2026-04-12 6/300 2026-04-16 07:23 by 学员JpLReM
[考研] 291求调剂 +7 关忆北. 2026-04-14 7/350 2026-04-16 01:30 by L0alice
[考研] 22专硕求调剂 +9 haoyun上岸 2026-04-11 11/550 2026-04-15 14:47 by elainzaizai
[考研] 310求调剂 +16 666真好 2026-04-11 18/900 2026-04-15 13:28 by 黑科技矿业
[教师之家] 转长聘了 +7 简单化xn 2026-04-13 7/350 2026-04-14 14:50 by xindong
[基金申请] RY：中国产出的科学垃圾论文，绝对数量和比例都世界第一 +6 zju2000 2026-04-14 17/850 2026-04-14 14:34 by jurkat.1640
[考研] 食品与营养（0955）271求调剂 +15 升格阿达 2026-04-12 16/800 2026-04-14 13:18 by 浮若_安生
[考研] 085408光电信息工程专硕355一志愿长春光机所调剂 +6 王ymaa 2026-04-13 13/650 2026-04-14 11:33 by 王ymaa
[考研] 305求调剂 +8 玛卡巴卡boom 2026-04-11 8/400 2026-04-14 09:04 by pengliang8036
[考研] 材料085601调剂 +32 何润采123 2026-04-10 34/1700 2026-04-14 08:47 by 木木mumu～
[考研] 考研求调剂 +12 子木呐 2026-04-12 13/650 2026-04-14 01:19 by 王珺璞
[考研] 一志愿085802 323分求调剂 +13 drizzle_9 2026-04-12 14/700 2026-04-13 10:26 by Faiz5552
[考研] 一志愿华工085600 331分 +7 天下ww 2026-04-09 7/350 2026-04-13 09:01 by lhj2009
[考研] 22408 352分求调剂 +5 努力的夏末 2026-04-09 5/250 2026-04-12 19:17 by wj165256
[硕博家园] 新一代电子信息294求调剂 不挑学校 +7 Ytyt11 2026-04-09 8/400 2026-04-12 16:57 by ajpv风雷
[考研] 材料工程日语考生求调剂 +7 0856?调剂 2026-04-10 7/350 2026-04-11 21:33 by 蓝云思雨
[考研] 085400 328分 求调剂 +10 喂你一个大橙子 2026-04-09 14/700 2026-04-11 19:53 by lqspecial
[考研] 283求调剂 086004考英二数二 +17 那个噜子 2026-04-10 18/900 2026-04-11 16:27 by 明月此时有
[考研] 求调剂 +6 archer.. 2026-04-09 8/400 2026-04-11 10:55 by zhq0425
[考研] 22408调剂求助 +7 毂12 2026-04-09 9/450 2026-04-11 09:23 by 哦哦123
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭