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kayking0903

至尊木虫 (正式写手)


[交流] 关于FIB(聚焦离子束)和离子注入

FIB和离子注入是不是一回事?对薄膜材料表面进行离子轰击可不可以打出些缺陷 或者对材料晶体结构有影响?
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macroH

银虫 (正式写手)



kayking0903(金币+1): 谢谢参与
同专门的的离子注入不同,FIB因为使用Ga+源,在使用过程中不可避免的会将Ga+注入到你切割和观察的样品的表面。所以,会带来注入效应。同时,因为FIB的离子源具有一定能量,所以会带来一定损坏,比如将表层的晶体打成非晶。但是这个是有办法避免和改善的。
7楼2013-12-16 13:29:08
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查看全部 12 个回答

匿名



kayking0903(金币+1): 谢谢参与
本帖仅楼主可见
4楼2013-06-25 19:55:33
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kayking0903

至尊木虫 (正式写手)


引用回帖:
4楼: Originally posted by jjwang at 2013-06-25 19:55:33
在我的理解中,这两个差的远了吧,一个是切割制备SEM,TEM样品。  离子注入可以用于表面改性,对于材料晶体结构的影响,要看注入的能量大小。

因为我看了他们的一些参数,几乎都一样,区别就是FIB大部分是用Ga+轰击,离子注入的话就有更多选择了,各种元素
5楼2013-06-25 22:16:50
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笼中鸟Q

木虫 (正式写手)



kayking0903(金币+1): 谢谢参与
不知道楼主现在对这个认识的怎么样,我刚开始接触,对这个也不太懂。用FIB,表面都被轰击走了一层,质量损失比较严重。能不能劳烦告诉我一下,这两个的不同点和相同点?
8楼2014-04-01 15:19:43
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