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zhte-8936

金虫 (正式写手)

[求助] 求助!合成材料时CVD对真空系统的要求 用过CVD的大神来

因为实验室要买套CVD,现在不确定应该选用低真空设备还是高真空设备,二者价钱上差了七八万。低真空设备实际只能抽到2到5Pa,高真空设备能抽到0.001到0.01Pa。因为反应要在1000度气氛(氨气氢气之类的)下进行,痕量氧气对材料影响会很大,因此想知道低真空设备能否满足要求。谢谢大家!
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hhccbb002

木虫 (正式写手)

司令

引用回帖:
9楼: Originally posted by herlife at 2013-05-16 13:38:58
过去用物理方法类似外延技术生长过半导体单晶和部分金属膜,用的都是高真空镀膜。对晶体结构方面质量要求高的话,还得高真空!

那你就用MBE吧
郁闷
10楼2013-05-17 09:40:16
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhte-8936: 金币+2, 有帮助 2013-05-14 21:23:43
估计要低真空的话得重复冲放气体很多次了,才能保证氧量,几个pa已经算不低了
2楼2013-05-14 20:03:12
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银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
我也想知道这个问题~  同求助
人无远虑,必有近忧。
3楼2013-05-14 20:11:48
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zhte-8936

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2013-05-14 20:03:12
估计要低真空的话得重复冲放气体很多次了,才能保证氧量,几个pa已经算不低了

充放气体多次肯定是必要的  就是不知道能不能抽干净
4楼2013-05-14 20:21:37
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