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清风凌水

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[求助] 半导体发光材料光致发光

半导体发光材料带隙峰的位置可以允许在多大范围内变化是否可能出现100nm的改变？如果发生了可能是由于什么原因造成的？

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发光

发光材料

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1楼 2013-05-14 15:59:26

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jet.chengxy

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
清风凌水: 金币+5, ★有帮助 2013-07-26 16:17:54

你问的问题有点笼统。你的半导体材料是什么？如果是半导体量子点的话同一材料大小不同几百纳米都有可能的。（CdSe从400nm到700nm都没问题的）。如果不是同一种材料也有很多因素会导致峰移（比如表面效应，是否做过修饰等等）

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2楼2013-05-21 16:29:49

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清风凌水

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2楼: Originally posted by jet.chengxy at 2013-05-21 16:29:49
你问的问题有点笼统。你的半导体材料是什么？如果是半导体量子点的话同一材料大小不同几百纳米都有可能的。（CdSe从400nm到700nm都没问题的）。如果不是同一种材料也有很多因素会导致峰移（比如表面效应，是否做过修 ...

是三氧化二镓。如果带隙应该在290nm，但在370处却出现了一个尖峰，可能是什么原因？

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3楼2013-05-23 10:23:44

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