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lzlgcdc

金虫 (正式写手)

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[求助] 半导体掺杂后的带隙如何看，求教

各位大侠我想知道半导体低浓度掺杂后（大概0.03%），在费米能级处出现杂质能带这个时候我对它的带隙该如何判断呢？我想知道这种掺杂对带隙的影响

谢谢

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1楼 2013-05-05 00:39:17

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

pengliusss

木虫 (小有名气)

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引用回帖:

17楼: Originally posted by 李还乱 at 2013-09-24 19:57:31
1、一般就是原子个数比，较少用到质量浓度的，楼主的0.03%我估计是3%吧，否则这体系过于庞大，计算机是算不动的。你的2x2x2的超晶胞有多少个原子？如果你不用服务器的话，个人机器无法算较大体系，内存会不够的。
...

1.掺杂浓度的确定是通过超晶胞确定的，如果替换某原子，就用替换个数比此超晶胞的原子总数，这样得出浓度不？
2.掺杂半导体计算时，对话框中选择的metal，是吗？ 3.“用单晶胞确定下晶格常数”为什么呢？
4.对于置换型掺杂：杂质原子要替换的原子没有在中心，且是2*2*2的cubic 超晶胞，不是超原胞的，下面情形可以置换吗：（1）杂质原子要替换的原子在cubic 超晶胞的顶角（即共有的原子，1/8个原子，替换了，顶角都会替换，但总的就是替换了一个，掺杂浓度还是算一个原子掺杂的），这样位置的要考虑置换不（它在cubic 超晶胞的最外面，又在顶角上）？？？如果要，替换掺杂排列组合数就会增加很多了！