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金虫 (正式写手)

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[求助] 半导体掺杂后的带隙如何看，求教

各位大侠我想知道半导体低浓度掺杂后（大概0.03%），在费米能级处出现杂质能带这个时候我对它的带隙该如何判断呢？我想知道这种掺杂对带隙的影响

谢谢

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1楼 2013-05-05 00:39:17

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

李还乱

铜虫 (小有名气)

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引用回帖:

10楼: Originally posted by 张宇琴 at 2013-05-07 09:15:12
带隙是导带底-价带顶，这个在计算的时候能带结构图会给出，还有就是上面有同学说的费米能级的移动，体材料时费米能级在带隙中，但是掺杂后费米能级可能移动到导带，导带电子数目增多，导电性就会增强。估计是这样吧 ...

1、一般就是原子个数比，较少用到质量浓度的，楼主的0.03%我估计是3%吧，否则这体系过于庞大，计算机是算不动的。你的2x2x2的超晶胞有多少个原子？如果你不用服务器的话，个人机器无法算较大体系，内存会不够的。
2、结构优化的话，用单晶胞确定下晶格常数，然后用超晶胞优化结构。
3、掺杂离子放在中心是出于对称性考虑，这样会减少计算量，我不知道你的掺杂是置换型还是填隙型，置换型应该都没问题，填隙型你需要先从结构入手，弄清楚哪些位置能放得下填隙原子。