缺陷形成能计算 - 第一性原理 - 热点前沿问题讨论

参考文献：1. Ab initio study of oxygen point defects in GaAs, GaN, and AlN
2. First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides

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8楼2013-06-07 09:19:35

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hy1987007

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aibude163: 金币+5 2013-06-22 08:36:03

你的公式既然是Su Huai Wei文章上面的，就应该多对比一下他的文章，印象中他在2004年发的

一篇文章中对此公式的各个量有较详细的说明，祝好运

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9楼2013-06-07 14:43:50

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aibude163

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10楼2013-06-14 21:52:42

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gump_813

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franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-06-17 22:15:54

VBM就是把能带画出来找到VB的最高能量就好了

问个相关的问题怎么算不同电荷状态的总能量是在model里加电荷吗？

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11楼2013-06-15 01:35:56

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aibude163

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12楼2013-06-17 07:26:14

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淮闾起帆

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引用回帖:

2楼: Originally posted by 颢燹 at 2013-04-08 23:02:13
反正我算掺杂的时候，如果是间隙式的话，那形成能E等于掺杂后总能量减去未掺杂的总能量再减去掺杂物的化学势；如果是替位式，那形成能等于掺杂后总能量减去未掺杂的总能量再减去掺杂物的化学势再加上被替位原子的化 ...

你好！请问无论间隙式，或替位式，原子的化学势能怎么得到？有的由氧化物的平衡态化学势等式，分二种生长情况讨论，得到。但是替位式，不可能替换的和被替换的原子化学势都由氧化物得到吧，那样氧气的作用，就没有显现。求高见！

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13楼2013-07-29 14:35:52

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