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两个关于量子阱的小问题
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ilmondo
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[交流]
两个关于量子阱的小问题
1.量子阱的势阱所谓的基态(n=0能级),即原阱材料的导带底真的存在吗,还是成为量子阱之后,实际上的“导带底”是n=1的导带第一子能级?(一般在室温PL发光中对应的是导带第一子能级到价带第一子能级的跃迁(n=1),由于材料组分是和禁带宽度(即导带底到价带顶的距离)一一对应起来的,那么根据发光峰的能量反推材料组分是不是有点小难??)
2.如果我的多量子阱的势垒厚10nm,势阱厚5nm,以势垒中的波函数而言,不就有交叠么,会形成微带吗?假如有,不就会反过来影响势阱的深度嘛?
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2013-04-01 14:22:14
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★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
6楼
:
Originally posted by
ilmondo
at 2013-04-02 22:29:03
哦。还想问下,所谓的n=0基态能级是没有了哇,n=1才是新的导带底?ms是教科书上符号定义有些混乱。...
应变量子阱的价带顶重空穴和轻空穴是简并的吧
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9楼
2013-12-21 17:40:24
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ilmondo
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第二个问题,thx~关于第一个问题,我的意思是:比如体材料的AlxGa(1-x)As,其Eg=1.423+1.594*x+x*(1-x)*(0.127-1.31*x),Al组分x可以由测得的带隙Eg反推计算。但当它作为势阱,若室温测得的发光是导带第一子能级到价带第一子能级的距离,如果要反推Al组分x,并没有直接的公式把x和导带与价带第一子能级的差联系起来。反推起来,因为每试一个x就要算一遍量子能级的位置。
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4楼
2013-04-02 12:07:29
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ygEric
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★ ★ ★ ★ ★ ★
ilmondo(金币+1): 谢谢参与
ilmondo: 金币+5, 感谢帮助哈
2013-07-24 07:48:06
1. 反推是没有严格的论证的,只不过是经验的应用而已。
2.你说的正是超晶格的问题。波函数与电子浓度分布相互影响,所以要自洽求解。
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5楼
2013-04-02 16:01:21
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ilmondo
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5楼
:
Originally posted by
ygEric
at 2013-04-02 16:01:21
1. 反推是没有严格的论证的,只不过是经验的应用而已。
2.你说的正是超晶格的问题。波函数与电子浓度分布相互影响,所以要自洽求解。
哦。还想问下,所谓的n=0基态能级是没有了哇,n=1才是新的导带底?ms是教科书上符号定义有些混乱。
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6楼
2013-04-02 22:29:03
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